近年來，隨著小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。

針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業(yè)界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的優(yōu)勢，通過靈活運用其IC工藝，大大降低了在以往分立器件的工藝中會增加的布線電阻，開發(fā)出功率損耗更低的小型功率MOSFET。

新產品采用融入了ROHM自有IC工藝的晶圓級芯片尺寸封裝*2DSN1006-3(1.0mm×0.6mm)，買元器件現(xiàn)貨上唯樣商城。在實現(xiàn)小型化的同時還降低了功耗。與相同封裝的普通產品相比，表示導通損耗和開關損耗之間關系的指標(導通電阻*3×Qgd*4)改善了20%左右，達到業(yè)內先進水平(1.0mm×0.6mm以下封裝產品比較)，非常有助于縮減各種小型設備電路板上的元器件所占面積并進一步提高效率。另外，還采用ROHM自有的封裝結構，使側壁有絕緣保護(相同封裝的普通產品沒有絕緣保護)。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設備中，使用這款新產品可降低因元器件之間的接觸而導致短路的風險，從而有助于設備的安全運行。

ROHM將繼續(xù)開發(fā)導通電阻更低、尺寸更小的產品，通過進一步提高各種小型設備的效率，來為解決環(huán)保等社會課題貢獻力量。

新產品的主要特性

應用示例

◇ 無線耳機等可聽戴設備

◇ 智能手表、智能眼鏡、運動相機等可穿戴設備

◇ 智能手機

此外，還適用于其他各種輕薄小型設備的開關應用。

電商銷售信息

起售時間：2022年11月開始

網售平臺： Oneyac

術語解說

*1) Nch MOSFET

通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。

相比Pch MOSFET，其漏源間的導通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

*2) 晶圓級芯片尺寸封裝

一種在整片晶圓上形成引腳并進行布線等，然后再切割得到單個成品芯片的超小型封裝形式。與將晶圓切割成單片后通過樹脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同，這種封裝可以做到與內部的半導體芯片相同大小，因此可以縮減封裝的尺寸。

*3) 導通電阻

MOSFET導通時漏極和源極之間的電阻值。該值越小，導通時的損耗(功率損耗)越少。

*4) Qgd(柵極-漏極間電荷量)

MOSFET開始導通后，柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小，開關速度越快，開關時的損耗(功率損耗)越小。

審核編輯：湯梓紅