每個 MEMS 壓力傳感器的核心都是 MEMS 硅芯片。 Merit Sensor 擁有并經(jīng)營一家晶圓廠，在那里生產(chǎn)所有自己的產(chǎn)品 微機電芯片. 封裝 MEMS 芯片需要專門的設(shè)備和技能來處理小而敏感的芯片并進行精細的引線鍵合。 因此，許多客戶購買壓力傳感器封裝，其中芯片已經(jīng)安裝并引線鍵合。 本文將討論 Merit Sensor 的三種封裝類型： 沒有補償?shù)? 被動補償及 完全補償.

無補償

最基本的壓力傳感器包是無補償?shù)摹?在未補償?shù)姆庋b中，MEMS 芯片已使用特殊的芯片鍵合材料安裝到陶瓷基板上，引線鍵合到陶瓷上的電跡線，并覆蓋有保護帽或凝膠。 由于每個硅芯片本質(zhì)上都是獨一無二的，因此每個芯片的輸出都是獨一無二的。 幸運的是，硅芯片具有非常可重復的輸出。 這意味著可以補償輸出。

PMD 系列壓力傳感器 – 未補償

為了獲得準確的輸出，客戶需要進行一定程度的補償。 某些應(yīng)用程序有助于客戶進行補償。 通常決定補償是由 Merit Sensor 還是客戶執(zhí)行的因素包括：

成本

準確性

規(guī)格

輸出信號

被動補償

一種更易于使用的壓力傳感器封裝版本，尤其是在室溫下使用時，是一種帶有被動補償?shù)陌姹尽?在這種情況下，壓力傳感器封裝與未補償封裝基本相同； 然而，陶瓷基板上的厚膜電阻器已經(jīng)過激光修整，可在 10 °C 至 40 °C 的工作溫度下對芯片的輸出提供足夠的補償。

AP 系列壓力傳感器 – 無源補償

對于諸如病房中的有創(chuàng)血壓監(jiān)測等應(yīng)用，在此溫度范圍內(nèi)進行補償就足夠了。 無源補償?shù)钠渌锰幨蔷哂袔缀鯚o限分辨率和以微秒為單位的頻率響應(yīng)時間的純模擬信號。

完全補償

在完全補償?shù)膲毫鞲衅鞣庋b中，信號調(diào)節(jié)（板載 ASIC）用于在很寬的溫度范圍內(nèi)補償芯片的輸出。 MEMS 硅芯片不知道壓力和溫度之間的差異，因此這種補償水平在傳感環(huán)境溫度劇烈波動或達到極端高溫或低溫的應(yīng)用中尤為重要。 通過信號調(diào)節(jié)進行補償可以提供線性輸出，并使該輸出在 -1 °C 和 1 °C 之間的工作溫度下精確到滿量程輸出的 ±40%（±150%FS 總誤差帶）。

帶有板載 ASIC 的 MEMS 芯片上的惠斯通電橋

例如，如果我們在飛機中使用燃油泵和在車輛中使用燃油導軌，那么壓力傳感器通常會暴露在極端溫度下； 盡管如此，這些壓力傳感器必須提供準確的輸出。 完全補償?shù)膲毫鞲衅鲗⑹呛线m的解決方案。

需要強調(diào)的是，每個壓力傳感器都需要單獨補償，因為每個壓力傳感器都具有其 MEMS 芯片固有的獨特輸出。 許多客戶根本沒有時間或設(shè)備在后勤或經(jīng)濟上對通過其裝配線的每個單元執(zhí)行此操作。

審核編輯：郭婷