電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)作為芯片制造過程中的核心設(shè)備,光刻機(jī)決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機(jī)已經(jīng)成為高端芯片(7nm及以下)芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵,但目前EUV光刻機(jī)基本由荷蘭阿斯麥(ASML
發(fā)表于 10-17 00:13
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是 ASML 在極紫外光刻(EUV)技術(shù)基礎(chǔ)上的革命性升級(jí)。通過將光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)從 0.33 提升至 0.55,其分辨率從 13.5nm(半節(jié)距)躍升至 8nm(半節(jié)
發(fā)表于 06-29 06:39
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ASML光刻「芯」勢力知識(shí)挑戰(zhàn)賽由全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商ASML發(fā)起,是一項(xiàng)面向中國半導(dǎo)體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML在光刻領(lǐng)域的技術(shù)積累與行業(yè)洞察,賽事致力于為參賽者打造一個(gè)深度探索光刻技術(shù)的知識(shí)競技窗口,同時(shí)培
發(fā)表于 06-23 17:04
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請(qǐng)問csu34f20的歷程哪里有,請(qǐng)發(fā)到2209453423@qq.com謝謝
發(fā)表于 03-17 16:07
? EUV光刻有多強(qiáng)?目前來看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)也是歷史上最復(fù)雜、最昂貴的機(jī)器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸?
發(fā)表于 02-18 09:31
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億歐元。這一季度的新增訂單金額為71億歐元,其中EUV光刻機(jī)訂單占據(jù)了30億歐元,顯示出市場對(duì)ASML高端光刻技術(shù)的強(qiáng)烈需求。 回顧全年,ASML在2024年實(shí)現(xiàn)了283億歐元的凈銷售額,毛利率為51.3%,凈利潤更是高達(dá)76億
發(fā)表于 02-10 11:14
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光刻機(jī)制造巨頭阿斯麥(ASML)的首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱表示,盡管近年來中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步,但與英特爾、臺(tái)積電和三星等行業(yè)巨頭相比, 中國的一些公司仍落后10到15年 。眾所周知
發(fā)表于 02-06 17:39
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本文簡單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關(guān)知識(shí),包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。
發(fā)表于 12-27 09:26
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本月底完成。 Rapidus 計(jì)劃 2025 年春季使用最先進(jìn)的 2 納米工藝開發(fā)原型芯片,于 2027 年開始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。 EUV 機(jī)器結(jié)合了特殊光源、鏡頭和其他技術(shù),可形成超精細(xì)電路圖案。該系統(tǒng)體積小,不易受到振動(dòng)和其他干擾。 ASML 是全球唯一的
發(fā)表于 12-20 13:48
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,維持樂觀的長期收入前景。預(yù)期毛利率則更是利好,毛利率高達(dá)56%至60%之間。 此外,阿斯麥公司還承諾將增加派息和股票回購。 ASML的CEO??Christophe Fouquet在會(huì)議上透露:“ASML有能力將EUV技術(shù)擴(kuò)展
發(fā)表于 11-15 19:48
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科技巨頭在先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域取得重大進(jìn)步。這項(xiàng)由荷蘭ASML獨(dú)家提供的尖端技術(shù)對(duì)于2nm以下的工藝至關(guān)重要。韓國行業(yè)觀察人士預(yù)計(jì),三星將加快其1nm芯片商業(yè)化的開發(fā)工作。 ? 每臺(tái)High NA EUV
發(fā)表于 10-31 10:56
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英特爾將在日本設(shè)立先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心,配備EUV光刻設(shè)備,支持日本半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展,增強(qiáng)本土研發(fā)能力。 據(jù)日經(jīng)亞洲(Nikkei Asia)9月3日?qǐng)?bào)導(dǎo),美國處理器大廠英特爾已決定與日
發(fā)表于 09-05 10:57
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NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程,它自誕生以來就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理,將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
發(fā)表于 08-10 16:32
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近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限,其設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備能夠采用更小巧的EUV光源,并且功耗僅為傳
發(fā)表于 08-03 12:45
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1. 隨著日本將首次引入EUV 光刻機(jī),ASML 當(dāng)?shù)貑T工計(jì)劃增至600 人 ? 隨著日本準(zhǔn)備進(jìn)口其首批極紫外(EUV)光刻機(jī),作為唯一技術(shù)提供商的ASML計(jì)劃大幅增加其當(dāng)?shù)貑T工。據(jù)日
發(fā)表于 07-24 10:51
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評(píng)論