光刻機制造巨頭阿斯麥（ASML）的首席執行官克里斯托夫·富凱表示，盡管近年來中國在半導體領域取得了顯著進步，但與英特爾、臺積電和三星等行業巨頭相比，中國的一些公司仍落后10到15年。眾所周知，即使中國晶圓廠擁有一流的DUV（深紫外）設備，也難以在經濟高效的方式上與臺積電的工藝技術相媲美，主要原因在于中國公司無法獲得尖端的EUV（極紫外）光刻設備。
“如果禁止出口EUV，中國將落后西方10到15年，”克里斯托夫·富凱在接受NRC采訪時表示，“這確實會產生影響。”
盡管有報道稱中國曾訂購EUV機器，但由于《瓦森納協議》以及美國的制裁，ASML從未向中國運送過其EUV工具。不過，ASML一直在向中國運送先進的DUV光刻工具，如Twinscan NXT:2000i，這些工具能夠生產5nm和7nm級工藝技術的芯片。
由于無法獲得EUV設備，中國的一些企業多年來一直采用其第一代和第二代7納米級工藝技術生產芯片。這無疑幫助中國在某些高科技領域抵御了外部壓力。
同時，一些企業和研究機構意識到EUV工具不會進入國內，因此他們開始自己探索極紫外光刻技術，目的是建立自己的光刻芯片制造工具和生態系統。然而，這最多需要10到15年的時間。作為參考，ASML及其合作伙伴花了20多年的時間才從基礎工作完成到商用機器的EUV生態系統建立。盡管1990年代初期/中期開發的許多技術都是已知的，但中國公司仍需投入大量時間和資源來開發和完善自己的技術。然而，等到中國半導體行業開發出低NA EUV工具時，西方芯片行業可能已經擁有了高NA EUV光刻甚至更先進的設備。
美國政府正在向ASML施壓，要求其停止在中國維護和修理其先進的DUV系統，以符合針對中國半導體行業的現有制裁。然而，荷蘭政府迄今尚未同意這一要求。ASML旨在保留其在中國的機器的控制權，以防止敏感信息泄露的風險，這種風險可能在中國公司接管維護工作以保持其芯片工廠正常運轉時發生。
審核編輯 黃宇