光刻機制造巨頭阿斯麥（ASML）的首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱表示，盡管近年來中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著進步，但與英特爾、臺積電和三星等行業(yè)巨頭相比，中國的一些公司仍落后10到15年。眾所周知，即使中國晶圓廠擁有一流的DUV（深紫外）設(shè)備，也難以在經(jīng)濟高效的方式上與臺積電的工藝技術(shù)相媲美，主要原因在于中國公司無法獲得尖端的EUV（極紫外）光刻設(shè)備。
“如果禁止出口EUV，中國將落后西方10到15年，”克里斯托夫·富凱在接受NRC采訪時表示，“這確實會產(chǎn)生影響。”
盡管有報道稱中國曾訂購EUV機器，但由于《瓦森納協(xié)議》以及美國的制裁，ASML從未向中國運送過其EUV工具。不過，ASML一直在向中國運送先進的DUV光刻工具，如Twinscan NXT:2000i，這些工具能夠生產(chǎn)5nm和7nm級工藝技術(shù)的芯片。
由于無法獲得EUV設(shè)備，中國的一些企業(yè)多年來一直采用其第一代和第二代7納米級工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片。這無疑幫助中國在某些高科技領(lǐng)域抵御了外部壓力。
同時，一些企業(yè)和研究機構(gòu)意識到EUV工具不會進入國內(nèi)，因此他們開始自己探索極紫外光刻技術(shù)，目的是建立自己的光刻芯片制造工具和生態(tài)系統(tǒng)。然而，這最多需要10到15年的時間。作為參考，ASML及其合作伙伴花了20多年的時間才從基礎(chǔ)工作完成到商用機器的EUV生態(tài)系統(tǒng)建立。盡管1990年代初期/中期開發(fā)的許多技術(shù)都是已知的，但中國公司仍需投入大量時間和資源來開發(fā)和完善自己的技術(shù)。然而，等到中國半導(dǎo)體行業(yè)開發(fā)出低NA EUV工具時，西方芯片行業(yè)可能已經(jīng)擁有了高NA EUV光刻甚至更先進的設(shè)備。
美國政府正在向ASML施壓，要求其停止在中國維護和修理其先進的DUV系統(tǒng)，以符合針對中國半導(dǎo)體行業(yè)的現(xiàn)有制裁。然而，荷蘭政府迄今尚未同意這一要求。ASML旨在保留其在中國的機器的控制權(quán)，以防止敏感信息泄露的風(fēng)險，這種風(fēng)險可能在中國公司接管維護工作以保持其芯片工廠正常運轉(zhuǎn)時發(fā)生。
審核編輯 黃宇