光伏與儲能是能源電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲利用的有效途徑，在推動碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢，可有效助力光伏與儲能系統(tǒng)，節(jié)約能源，推薦使用國產(chǎn)基本半導(dǎo)體芯片第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光儲一體機(jī)，將會比上一代器件在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。

碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強(qiáng)度，更低的損耗和更高的熱導(dǎo)率。這些特性意味著碳化硅器件可以用在高電壓、高開關(guān)頻率、高功率密度的場合，基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%;反向傳輸電容Crss降低，能提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險。

且B2M065120H具有更低的比導(dǎo)通電阻，通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升，且具有非常低的開關(guān)損耗。基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動應(yīng)用等核心技術(shù)，申請兩百余項(xiàng)發(fā)明專利，產(chǎn)品性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。

B2M065120H性能參數(shù)：

? RDS (on)：65mΩ;

? Voltage：1200V;

? 最高工作結(jié)溫：175°C;

? 封裝：T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7;

審核編輯：湯梓紅