硬開關(guān)電源最頭疼的應(yīng)該是MOSFET電壓應(yīng)力尤其是續(xù)流管的尖峰電壓抑制，這涉及到MOSFET的可靠性，和效率及熱性能是互相折中的。

有源鉗位正激副邊同步整流自激驅(qū)動(dòng)因?yàn)殡娐泛?jiǎn)潔常被用到，但是電路參數(shù)的離散性對(duì)MOSFET電壓應(yīng)力有很大的影響，我這里談兩個(gè)不常見到的現(xiàn)象。

有源鉗位正激自激驅(qū)動(dòng)示意圖，來自于德儀SLUU357

空載通常被認(rèn)為是電壓應(yīng)力較小的應(yīng)用條件，因?yàn)檩敵鲭姼?a href="http://m.xsypw.cn/tags/電流/" target="_blank">電流的方向，續(xù)流管體二極管在續(xù)流管關(guān)斷后不導(dǎo)通沒有反向恢復(fù)。但是在特定的離散參數(shù)下還是有可能出現(xiàn)很高的尖峰電壓，如下圖。

空載下續(xù)流管出現(xiàn)很高電壓尖峰示意圖

分析原因如下，如果續(xù)流管驅(qū)動(dòng)電壓在原邊NMOS導(dǎo)通前不能將到門限電壓以下，而變壓器有較大漏感、整流管驅(qū)動(dòng)回路有較大延時(shí)，續(xù)流管就會(huì)出現(xiàn)UIS（Unclamped Inductive Switching）現(xiàn)象，輸出電感上和它上面的反向電流充當(dāng)了UIS的一部分。這時(shí)空載輸入電流會(huì)變的很大。

有源鉗位正激副邊自激驅(qū)動(dòng)的續(xù)流管和整流管的死區(qū)時(shí)間通常比較小，若果你有樣品可以實(shí)測(cè)下，但是這個(gè)死區(qū)時(shí)間并不是嚴(yán)格按照有源鉗位正激PWM IC設(shè)定的原邊NMOS和PMOS的死區(qū)時(shí)間來的，還受電路的離散參數(shù)影響。下圖是正常樣品，或者說大概率產(chǎn)品的續(xù)流管波形。

續(xù)流管Vds

因?yàn)樗绤^(qū)時(shí)間較小基本看不到續(xù)流管體二極管導(dǎo)通，電壓應(yīng)力較容易控制。

續(xù)流管Vgs

而小概率的產(chǎn)品因?yàn)殡娐返碾x散參數(shù)變化同樣測(cè)試條件下會(huì)出現(xiàn)下面的波形。

續(xù)流管Vds

續(xù)流管Vgs

電壓尖峰增加了20%，同樣的電壓尖峰抑制電路很難平衡這種情況，如果按照80%的降額設(shè)計(jì)，這樣的模塊一定Over rating了，模塊的效率和熱性能下降也很明顯。

有源鉗位正激自激驅(qū)動(dòng)對(duì)于設(shè)計(jì)和生產(chǎn)控制還是有很大的挑戰(zhàn)。