6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第6章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
29文章
2891瀏覽量
62942
發布評論請先 登錄
相關推薦
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
發表于 01-04 12:37
碳化硅SiC在光電器件中的使用
碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠大于硅(Si)的1.
碳化硅SiC在電子器件中的應用
和熱學性能,成為了許多高性能電子器件的首選材料。 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅原子組成的化合物半導體材料,具有以下特性: 寬帶隙
SIC 碳化硅認識
好,硬度大(莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級))、導熱性能優良、高溫抗氧化能力強等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。 第三代半導體指的是SiC、GaN、ZnO、金剛石(C)、AlN等具有寬禁帶(Eg>2
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK
發表于 03-08 08:37
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點
評論