聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
逆變器
+關(guān)注
關(guān)注
293文章
4877瀏覽量
210418 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3047瀏覽量
50216
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)性能
面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開(kāi)關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性,是電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施、光

基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
、工業(yè)級(jí)及汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊等多款新品,為新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)帶來(lái)了更高效可靠的能源轉(zhuǎn)換解決方案。

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡?
,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的
發(fā)表于 03-12 11:31
?612次閱讀

全碳化硅戶(hù)用工商業(yè)50kW光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案
傾佳電子楊茜介紹全國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC功率器件(如BASiC基本股份)50kW光伏逆變器設(shè)計(jì)方案: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC

光伏MPPT設(shè)計(jì)中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對(duì)比
在光伏系統(tǒng)的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)設(shè)計(jì)中,IGBT、碳化硅(SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。

碳化硅功率器件的散熱方法
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)
發(fā)表于 01-04 12:37
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用
碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本

碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱(chēng)SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)
碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類(lèi)
碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,

評(píng)論