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導通內阻僅50mΩ的N溝道MOS管ASDM60N03ZA用于鬧鐘模塊,可降低系統整體功耗水平

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-06-14 11:22 ? 次閱讀

在鬧鐘模塊設計中需要控制蜂鳴器電路的導通來控制蜂鳴器的發聲與否,常常有兩種方式可以實現電路導通的控制:

1、通過三極管作為開關器件控制電路導通;

2、通過MOS作為開關器件控制電路導通。

但是三級管的內阻比MOS的內阻大,意味著其電路導通時電流通過三極管時消耗的能力比MOS消耗的能量要多得多,因此在低功耗場景下往往優先選擇MOS作為開關器件控制電路。本文推薦安森德的N溝道MOS管ASDM60N03ZA用于鬧鐘模塊來降低系統整體功耗水平。

鬧鐘模塊常見的應用電路圖如圖所示:

a658fb30-e731-11ec-a2f4-dac502259ad0.jpg

MCU通過輸出高低電平信號來控制ASDM60N03ZA的導通與否,因為MCU輸出的高電平信號一般為3.3V左右,因此N-MOS的閾值電壓Vgsth需小于3.3V才能在MCU輸出高電平時能完全導通,MCU的低電平信號為0V左右所以閾值電壓Vgsth的最小值要大于0V,ASDM60N03ZA的閾值電壓為1V到2.5V滿足上述要求,且不易造成誤導通情況的發生,同時ASDM60N03ZA的導通內阻僅為50mΩ,大大減少因為內阻做功消耗掉的能量。

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ASDM60N03ZA封裝圖

以下為ASDM60N03ZA的其他優勢點:

1、漏源電壓Vds=60V,滿足絕大多數電池供電產品的耐壓要求。

2、漏級電流Id=3A,可適用于3A以下的電源電路中,在消費領域適用范圍廣。

3、可Pin to Pin替代AOS/美國萬代的A03416,國產替代進口。


國芯思辰批量供應安森德ASDM60N03ZA,有需要的客戶可在國芯思辰官網進行樣品申請。

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