場景 半導(dǎo)體晶體生長測溫
要解決的問題
還原爐應(yīng)用中,需多點位測溫,有的點位位置較高對準目標比較困難。
升溫過程中,材料狀態(tài)可能發(fā)生變化,導(dǎo)致發(fā)射率隨之發(fā)生變化導(dǎo)致測溫失準。建議使用雙色測溫儀。
直拉法應(yīng)用中,一般集成于內(nèi)部溫控系統(tǒng),安裝空間有限。建議使用分體光纖式設(shè)備。
需透視窗測量反應(yīng)物。建議使用近紅外短波測溫。
場景特點 SCENE FEATURES01
反應(yīng)溫度需維持在高溫狀態(tài)(還原爐約1080℃、直拉法約為1500℃)。
02可能有較強的電磁干擾,需要使用分體式光纖設(shè)備。03
熔融石英坩堝內(nèi)部反應(yīng)。
04
腔室內(nèi)填充保護性氣體。
解決方案
核心優(yōu)勢IGAR 12-LO(分體光纖測溫儀)
在高溫/高壓/電磁場等環(huán)境中,只放進一個測溫鏡頭,通過光纖傳輸光信號,最大程度的減少了環(huán)境的干擾項,保證測量的準確無誤。
測溫范圍全覆蓋(300~2500℃)。
高精度,最小可精確讀數(shù)到0.5%+1℃。
極短的響應(yīng)時間(2ms)。
極小的光斑尺寸(最小為0.45mm)。
光纖探頭耐溫高達250℃。
診斷功能。
雙色/單色、0/4-20mA、RS232/RS485均可切換。
IGAR 6-TV
具有直觀的視頻模式,且接線簡單。
可記錄視頻實時圖像或視頻,多種格式儲存。
測溫量程全覆蓋(100~2000℃)。
高精度,最小可精確到讀數(shù)的0.4%+2℃。
可變焦鏡頭,可調(diào)節(jié)測距(可從210至2000mm內(nèi)測溫)。
設(shè)定內(nèi)可調(diào)多種參數(shù),使用多種環(huán)境需求。
技術(shù)參數(shù)
型號 | IGAR 12-LO | IGAR 6-TV |
---|---|---|
溫度范圍 | 300...3300℃ | 100...2000℃ |
測量波段 | 1.52...1.64μm | 波段1: 1.5...1.6μm; 波段2:2.0...2.5μm |
響應(yīng)時間 | 2ms | 2ms |
測量精度 | 讀數(shù)的0.5%±1℃(<1500℃) 讀數(shù)的0.7%±1℃(>1500℃) | 測量值的0.4%±2℃(<1500℃) 測量值的0.8%(>1500℃) |
重復(fù)性 | 讀數(shù)的0.3%+1℃ | 測量值的0.2%+1℃ |
瞄準方式 | 同軸激光瞄準 | 視頻瞄準,彩色圖像。帶有瞄準指示光圈 |
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28342瀏覽量
230197
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
無線測溫解決方案有哪些?

半導(dǎo)體行業(yè)MES系統(tǒng)解決方案

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

碳化硅的缺陷分析與解決方案
商場無線測溫解決方案
用于半導(dǎo)體外延片生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)

晶體生長相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷
芯片制造工藝:晶體生長、成形

一文詳解SiC單晶生長技術(shù)

晶體生長溫控儀數(shù)據(jù)采集解決方案
晶體硅為什么可以做半導(dǎo)體材料
2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會6月21-23日濟南召開

評論