國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發電機，工作結溫-55~175℃
氫能發電機特指以氫氣為原料的發電機，原理類似傳統內燃機，經過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動電機產生電流輸出。氫能發電機是一種環保型的發電設備，具有無噪音、零排放和移動性強的特點。其效率要求也非常高，但傳統的功率MOS已經很難滿足發電機高開關頻率的要求，而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應用。
某氫能發電機項目現需要一漏源電壓1200V，電流80A以上的碳化硅MOS。可采用基本半導體的B1M032120HK，推薦理由：
1、該器件耐壓可達1200V，在Tc=100℃時，最大ID可達84A，完全滿足項目需求。
2、導通電阻低至32mΩ，可以確保B1M032120HK在高頻工作時，導通損耗很低，可以降低MOS的發熱量。
3、B1M032120HK的工作結溫范圍在-55~175℃，可以在很惡劣的條件環境下穩定運行。
4、B1M032120HK為TO-247-4封裝，可替代科銳的C3M0032120K、羅姆的SCT3040KR、英飛凌的IMZ120R045M1、安森美的NTH4L040N120SC1。
5、基本半導體為國產品牌，性價比相比其它更有優勢。
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