如今,大部分快充電源廠商正在探索120W氮化鎵+碳化硅快充PD頭;而在PD這種極度緊湊的應用中,PCB面積極其珍貴,超薄型PD快充通常優先選擇厚度低于2mm的表貼器件。基本半導體針對PD快充“小輕薄”的特點,推出SMBF封裝的B1D04065E碳化硅肖特基二極管,該器件具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點,能很好地滿足PD快充對器件的特殊需求。
基本半導體SMBF封裝碳化硅肖特基二極管最大的優點是在PCB上的占用面積小,僅為19mm2,其長寬高分別為5.3mm*3.6mm*1.35mm,比SMB封裝(厚度2.3mm)更薄,比DFN系列和TO-252封裝面積更小。
低正向導通壓降:
采用TO-252封裝B1D04065E型號碳化硅肖特基二極管已在PD行業批量應用,產品與之相比具有更低的正向導通電壓(見下圖)。
![PD.jpg](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/8B/wKgaomRYVHiAGfRfAADMFk73Jg0599.jpg)
高浪涌電流能力IFSM:
全球電網工頻主要采用50Hz和60Hz,以50Hz工頻電網為例,其一個周期內半波脈寬為10ms,器件應用在50Hz電網對應的PFC電路中時,需要標定10ms正弦波浪涌電流能力IFSM,而應用在60Hz電網對應的PFC電路中時,需要標定8.3ms正弦波浪涌電流能力。
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