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銀聯(lián)寶同步整流ic U7610的技術(shù)與應(yīng)用

銀聯(lián)寶科技 ? 2023-05-31 16:46 ? 次閱讀

銀聯(lián)寶同步整流ic U7610的技術(shù)與應(yīng)UN

同步整流電源能夠在很大程度上降低功耗和提高效率。在相同的機架內(nèi),先進(jìn)的同步整流電源的功率是傳統(tǒng)非同步電源功率的兩倍。使用性能可靠的同步整流ic,效果更佳。一起來看看深圳銀聯(lián)寶科技的同步整流ic U7610吧!

同步整流ic U7610是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率 。U7610 支持High Side和Low Side配置,同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。U7610內(nèi)置VDD高壓供電模塊,無需VDD輔助繞組供電,降低了系統(tǒng)成本。對于Low Side配置的12V系統(tǒng),增加Vo LDO供電方式以降低供電損耗。U7610 內(nèi)部集成有VDD欠壓保護(hù)和VDD電壓鉗位功能。

37412aea-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png37aabf46-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.pngUNU7610

同步整流ic U7610主要特點:

▲反激拓?fù)涓边呁秸鞴β书_關(guān)

▲支持 High Side 和 Low Side 配置

▲支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式 (DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)

▲內(nèi)置 VDD 高壓供電模塊,無需 VDD 輔助繞組供電

▲VDD 雙供電方式,降低供電損耗

▲精準(zhǔn)的 SR MOSFET 關(guān)斷控制

▲<300μA 超低靜態(tài)電流

▲內(nèi)置 60V 功率 MOSFET

▲內(nèi)部集成保護(hù):

VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)

VDD 電壓鉗位 (>5mA 鉗位電流)

▲典型應(yīng)用:

手機充電器

適配器

當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值后 (2.8V 典型值),同步整流ic U7610進(jìn)入睡眠模式,同時內(nèi)部同步整流MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài),副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于VDD開啟電壓后(3.1V 典型值),芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。


同步整流ic U7610管腳說明:

1/2 GND P IC 參考地,也是內(nèi)部功率 MOSFET 的源極

3 VDD P IC 供電引腳

4 Vo I VDD 供電配置引腳 (詳細(xì)配置見功能描述部分)

5/6/7/8 Drain P 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極

同步整流ic U7610可提高效率,同時也能夠極大地幫助瞬態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié)。它為電源預(yù)加載提供了一種高效的方法,還擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。它提高了傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器,以及所有其他能夠使用同步整流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的動態(tài)性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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