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百家爭(zhēng)鳴:Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)哪家強(qiáng)?

架構(gòu)師技術(shù)聯(lián)盟 ? 來(lái)源:架構(gòu)師技術(shù)聯(lián)盟 ? 2023-06-25 15:12 ? 次閱讀

文章來(lái)源“先進(jìn)制程貼近物理極限,算力需求Chiplet迎來(lái)黃金發(fā)展期(精華)”,研究機(jī)構(gòu)IBS 統(tǒng)計(jì)對(duì)比16nm至3nm 的單位數(shù)量的晶體管成本指出,隨著制程工藝的推進(jìn),單位數(shù)量的晶體管成本的下降幅度在急劇降低。比如從 16nm 到 10nm,每10億顆晶體管的成本降低了23.5%,而從5nm到3nm成本僅下降了 4%。 隨著先進(jìn)制程持續(xù)推進(jìn),單位晶體管所需要付出的成本降低的速度正在持續(xù)放緩,即意味著摩爾定律正在放緩。Chiplet 誕生背景是在摩爾定律放緩。

1、Chiplet 在成本、良率、設(shè)計(jì)靈活性等方面優(yōu)勢(shì)明顯

Chiplet俗稱“芯粒”或“小芯片組”,通過(guò)將原來(lái)集成于同一 SoC 中的各個(gè)元件分拆,獨(dú)立 為多個(gè)具特定功能的 Chiplet,分開(kāi)制造后再通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)將彼此互聯(lián),最終集成封裝 為一個(gè)系統(tǒng)芯片。 由于Chiplet芯粒可以獨(dú)立設(shè)計(jì)和組裝,因此制造商可以根據(jù)自己的需要來(lái)選擇不同類型、不同規(guī)格和不同供應(yīng)商的芯粒進(jìn)行組合,很大程度上提高了芯片設(shè)計(jì)的靈活性和可定制化程度;并且制造商可以依賴于預(yù)定好的芯片工具箱來(lái)設(shè)計(jì)新產(chǎn)品,縮短芯片的上市時(shí)間。同時(shí),Chiplet技術(shù)可以將大型 7nm 設(shè)計(jì)的成本降低高達(dá) 25%;在 5nm 及以下的情況下,節(jié)省的成本更大。

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Chiplet 技術(shù)被視為“異構(gòu)”技術(shù)的焦點(diǎn),也是當(dāng)下最被企業(yè)所認(rèn)可的新型技術(shù)之一。2022年 3 月,英特爾AMDArm高通三星、臺(tái)積電、日月光、Google Cloud、Meta、微軟等全球領(lǐng)先的芯片廠商共同成立了 UCIe 聯(lián)盟,旨在建立統(tǒng)一的 die-to-die 互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn),促進(jìn)Chiplet 模式的應(yīng)用發(fā)展,目前聯(lián)盟成員已有超過(guò) 80 家半導(dǎo)體企業(yè),越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始研發(fā) Chiplet 相關(guān)產(chǎn)品。

2、Chiplet市場(chǎng)規(guī)模快速成長(zhǎng)

根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),基于 Chiplet 的半導(dǎo)體器件銷售收入在 2020 年僅為 33 億美元,2022 年已超過(guò) 100 億美元,預(yù)計(jì) 2023 年將超過(guò) 250 億美元,2024 年將達(dá)到 505 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá) 98%。超過(guò) 30%的 SiP 封裝將使用芯粒(Chiplet)來(lái)優(yōu)化成本、性能和上市時(shí)間。

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MPU占據(jù)Chiplet 大部分應(yīng)用應(yīng)用場(chǎng)景,Omdia 預(yù)測(cè) 2024 年用于 MPU 的 Chiplet 約占Chiplet 總市場(chǎng)規(guī)模的 43%。 隨著 Chiplet 技術(shù)的發(fā)展,Chiplet 產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)逐漸完善,即由 Chiplet 系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)、EDA/IP、芯粒(核心、非核心、IO Die、Base Die)、制造、封測(cè)組成的完整 Chiplet 生態(tài)鏈。

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Chiplet產(chǎn)業(yè)鏈主鏈有四大環(huán)節(jié),包括芯粒、芯片設(shè)計(jì)、封裝生產(chǎn)和系統(tǒng)應(yīng)用,支撐環(huán)節(jié)包括芯粒生產(chǎn)、設(shè)計(jì)平臺(tái)、EDA 工具、封裝基板、封測(cè)設(shè)備等領(lǐng)域。

3、IC 制造及封測(cè)廠加碼布局Chiple

目前全球封裝技術(shù)主要由臺(tái)積電、三星、Intel 等公司主導(dǎo),主要是 2.5D 和 3D 封裝。2.5D 封裝技術(shù)已非常成熟,廣泛應(yīng)用于 FPGACPUGPU 等芯片,目前是 Chiplet 架構(gòu)產(chǎn)品主要的封裝解決方案。3D 封裝能夠幫助實(shí)現(xiàn) 3D IC,即晶粒間的堆疊和高密度互連,可以提供更為靈活的設(shè)計(jì)選擇。但 3D 封裝的技術(shù)難度更高,目前主要有英特爾和臺(tái)積電掌握 3D 封裝技術(shù)并商用。臺(tái)積電比三星、英特爾更早采用 Chiplet 的封裝方式。

1)、臺(tái)積電3DFabric封裝技術(shù)

臺(tái)積電推出了3D Fabric,搭載了完備的3D硅堆棧(3D Silicon Stacking)和先進(jìn)的封裝技術(shù)。3DFabric 是由臺(tái)積電前端 3D 硅堆棧技術(shù) TSMC SoIC 系統(tǒng)整合的芯片,由基板晶圓上封裝(Chip on Wafer on Substrate, CoWoS)與整合型扇出(Integrated Fan-Out, InFO)的后端 3D 導(dǎo)線連接技術(shù)所組成,能夠?yàn)榭蛻籼峁┱袭愘|(zhì)小芯片(Chiplet)的彈性解決方案。該項(xiàng)技術(shù)先后被用于賽靈思的 FPGA、英偉達(dá)的 GPU 以及 AMD 的 CPU。

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2)、Intel2.5D封裝技術(shù)EMIB

Intel主導(dǎo)的 2.5D 封裝技術(shù)為 EMIB,使用多個(gè)嵌入式包含多個(gè)路由層的橋接芯片,同時(shí)內(nèi)嵌至封裝基板,達(dá)到高效和高密度的封裝。由于不再使用 interposer 作為中間介質(zhì),可以去掉原有連接至 interposer 所需要的 TSV,以及由于 interposer 尺寸所帶來(lái)的封裝尺寸的限制,可以獲得更好的靈活性和更高的集成度。 相較于 MCM 和 CoWoS 技術(shù),EMIB 技術(shù)獲得更高的集成度和制造良率。英特爾對(duì)各種先進(jìn)封裝產(chǎn)品組合 (如 Foveros、EMIB 和 Co-EMIB) 的投資是實(shí)施公司新領(lǐng)導(dǎo)層所公布的 IDM2.0 戰(zhàn)略的關(guān)鍵。

3)、三星X Cube 3D封裝技術(shù)

三星也在積極投資先進(jìn)的封裝技術(shù),以滿足 HPC 應(yīng)用在異質(zhì)芯片整合的快速發(fā)展。2020 年 8 月,三星公布了 X Cube 3D 封裝技術(shù)。在芯片互連方面,使用成熟的硅通孔 TSV 工藝。目前X Cube 能把 SRAM 芯片堆疊在三星生產(chǎn)的 7nm EUV 工藝的邏輯芯片上,在更易于擴(kuò)展 SRAM 容量的同時(shí)也縮短了信號(hào)連接距離,提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣取4撕蟀l(fā)布的 I-Cube 可以將一個(gè)或多個(gè)邏輯Die 和多個(gè) HBM die 水平放置在硅中介層,進(jìn)行異構(gòu)集成。

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4)、日月光FOCoS先進(jìn)封裝技術(shù)

日月光憑借在FOCoS先進(jìn)封裝技術(shù)的布局,是目前在封測(cè)代工廠中唯一擁有超高密度扇出解決方案的供應(yīng)商。日月光的 FOCoS提供了一種用于實(shí)現(xiàn)小芯片集成的硅橋技術(shù),稱為 FOCoSB(橋),它利用帶有路由層的微小硅片作為小芯片之間的封裝內(nèi)互連,例如圖形計(jì)算芯片(GPU)和高帶寬內(nèi)存(HBM)。硅橋嵌入在扇出 RDL 層中,是一種可以不使用硅中介層的 2.5D 封裝方案。與使用硅中介層的 2.5D 封裝相比,F(xiàn)OCoS-B 的優(yōu)勢(shì)在于只需要將兩個(gè)小芯片連接在一起的區(qū)域使用硅片,可大幅降低成本。

5)、長(zhǎng)電科技2.5D TSV-less封裝技術(shù)

長(zhǎng)電科技推出的面向Chiplet小芯片的高密度多維異構(gòu)集成技術(shù)平臺(tái) XDFOI可實(shí)現(xiàn) TSV-less 技術(shù),達(dá)到性能和成本的雙重優(yōu)勢(shì),重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楦咝阅苓\(yùn)算如 FPGA、5G自動(dòng)駕駛智能醫(yī)療等。 XDFOI是一種以 2.5D TSV-less 為基本技術(shù)平臺(tái)的封裝技術(shù),在線寬/線距可達(dá)到 2μm/2μm 的同時(shí),還可以實(shí)現(xiàn)多層布線層,以及 2D/2.5D 和 3D 多種異構(gòu)封裝,能夠提供小芯片(Chiplet)及異構(gòu)封裝的系統(tǒng)封裝解決方案。目前長(zhǎng)電先進(jìn) XDFOI 2.5D 試驗(yàn)線已建設(shè)完成,并進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,同步實(shí)現(xiàn)國(guó)際客戶 4nm 節(jié)點(diǎn)多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨。

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