1、設計目標

2、N-基區摻雜濃度對輸出IV特性的影響

（1）conc=1.0e16cm^-3

（2）conc=1.1e16cm^-3

（3）conc=1.2e16cm^-3

（4）conc=1.3e16cm^-3

晶閘管（SCR）由于其深回滯輸出特性曲線，低導通電阻，高ESD泄流能力的特點，在ESD保護中得到越來越廣泛的應用。除了采用多個器件的組合方案來實現雙向ESD保護之外，也可以用單向SCR的衍生器件來實現雙向ESD保護，雙向SCR器件內部是NPNPN結構。為了對集成電路的輸出端口形成有效保護，需要低觸發電壓的SCR放電管作為ESD保護器件。

對于低觸發電壓SCR放電管，在保證SCR放電管的開啟速度不受影響的前提下，通過優化SCR放電管內部結構（如寄生晶體管基區結構、發射區結構、低電壓觸發結構等）的方法來降低SCR放電管的觸發電壓。

依據觸發電壓VS、觸發電流IS、維持電流IH及觸發電壓、維持電流高低溫變化率指標要求，利用半導體器件仿真軟件進行雙向低觸發電壓橫向SCR放電管的設計。雙向低觸發電壓橫向SCR放電管是一種對稱的ESD保護器件，它沒有陽極與陰極的差異，在兩個方向的ESD保護性能是等同的。器件中P陽極區、N-襯底、P區構成寄生PNP晶體管，N+陰極區、P區、N-襯底區構成寄生NPN晶體管，寄生PNP晶體管與寄生NPN晶體管相互耦合，形成PNPN晶閘管結構。

當寄生PNP晶體管與寄生NPN晶體管共基極短路電流放大倍數之和大于1（αPNP+αNPN＞1）時，PNPN晶閘管結構觸發開通。