什么是硅片或者晶圓？

硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結(jié)晶硅的薄片。硅晶圓作為芯片的基板，在制造電子電路中特別有用。硅作為整個宇宙中最常見的元素排名第七，也是地球上第二常見的元素。一些常見的含硅材料包括沙子、石英等。硅是磚、水泥和玻璃等建筑材料的主要元素之一。

硅目前是半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中使用最廣泛的半導(dǎo)體。 雖然硅芯片可能看起來像金屬，但它們并不完全是金屬。由于原子間容易移動的“自由電子”，金屬是電的良導(dǎo)體，電就是電子的運(yùn)動。另一方面，純硅晶體幾乎是絕緣體；允許很少的電流通過它。

然而，通過給硅片摻雜可以改變硅片的導(dǎo)電能力。 摻雜是將少量雜質(zhì)混入硅晶體以改變其行為并將其集成到導(dǎo)體中。這些用于摻雜的雜質(zhì)稱為摻雜劑。 硅本身不能很好地導(dǎo)電；但是，它可以精確地?fù)诫s以將電阻率控制到精確的水平。在芯片制造過程中添加硅摻雜劑，例如氮、銦、鋁、鎵和硼。

因此，要使非導(dǎo)電硅形成半導(dǎo)體，硅必須變成晶圓。 硅晶圓有多種形狀和尺寸，具體取決于它們的用途。晶圓從2英寸到12英寸都有，常見的是6英寸、8英寸和12英寸。它們是集成電路中的關(guān)鍵材料，集成電路由多個旨在執(zhí)行特定任務(wù)的晶體管組成。

硅是一種具有拋光鏡面表面的扁平圓盤，它無處不在，幾乎在每個電子設(shè)備中都有它的身影。它是制造半導(dǎo)體的常用材料，硅表面光滑，提高了純度，適用于半導(dǎo)體器件。硅片制造方法是 Vertical Bridgeman 和 Czochralski 拉法。



硅晶圓的工作原理

從沙子中提取硅后，需要在使用前對其進(jìn)行純化。它首先被加熱，直到它熔化成純度約為 99.9999999% 或更高且無缺陷的高純度液體。

然后通過使用 Floating Zone 或 Czochralski 工藝等常見制造方法，使其凝固成硅棒或硅錠。Czochralski 的方法包括將一小塊固體硅放置在熔融硅池中，然后隨著液體轉(zhuǎn)變成圓柱形硅錠而緩慢旋轉(zhuǎn)。這就是為什么最終產(chǎn)品晶圓都是圓盤狀的。

在完全冷卻之前，金屬錠的金字塔形末端被拉掉。然后使用鋒利的金剛石鋸片將主體切成相同厚度的薄晶片。這闡明了為什么鑄錠的直徑會成為晶圓尺寸的決定因素。

在 50 年代的半導(dǎo)體工業(yè)初期，晶圓的直徑只有三英寸。從那時起，晶圓尺寸穩(wěn)步增加，導(dǎo)致以更低的成本和更高的生產(chǎn)率生產(chǎn)更多的芯片。

半導(dǎo)體晶圓有多種直徑，從 25.4 毫米（1 英寸）到 300 毫米（11.8 英寸）不等。雖然 450 毫米（18 英寸）晶圓直徑可用，但尚未廣泛使用。

成品晶圓的厚度和直徑必須與晶圓將用于制造的材料的機(jī)械強(qiáng)度和其他物理質(zhì)量相對應(yīng)。成品必須足夠堅固以支撐其重量而不會在處理晶圓各種應(yīng)用的產(chǎn)品時破碎。隨著在切片制造中添加更多材料，晶圓的直徑增加，晶圓的重量也增加。當(dāng)添加了足夠的重量后，直徑不能增加，因為它會損害切片的強(qiáng)度。

如果重物放置不當(dāng)，相對較小的壓力就足以破壞晶圓。

切片晶圓必須經(jīng)過處理才能用于制造。CMP工藝和研磨化學(xué)品用于將晶圓的粗糙表面拋光至完美光滑的表面。

無可挑剔的表面使晶圓表面的印刷電路布局更容易。

1. Edge Die(chips) : 視為生產(chǎn)損耗。晶圓邊緣的芯片。晶圓越大，芯片損失越少。

2.劃線：在功能部分之間，有狹窄的非功能區(qū)域，鋸可以在這些區(qū)域安全地切割晶圓而不會破壞電路。這些薄的區(qū)域是劃線

3.芯片：有電子電路圖案的一小塊硅

4.平面區(qū)：晶圓的邊緣被拉平以幫助晶圓定位和類型識別。

5.測試元件組 (TEG)：顯示芯片實際物理特性（二極管、電路、電容器、晶體管和電阻器）的原型圖案，以便對其進(jìn)行測試以了解其是否正常工作。 所有的硅晶圓都是非常有用的組件，只是有不同的變化用于不同的目的。因此，必須了解不同類型的硅晶圓。目前常用的硅片主要有兩種。這些都是：

無摻雜硅片

摻雜硅片

未摻雜硅晶片，也稱為本征或浮區(qū) (FZ)，其中沒有任何摻雜劑。它們由嚴(yán)格的純晶體硅制成。這種硅片被公認(rèn)為理想的半導(dǎo)體。

摻雜硅片是在形成過程中向硅晶體中引入摻雜劑（某種雜質(zhì)）而形成的。當(dāng)硼被添加到混合物中時，就產(chǎn)生了 P 型摻雜硅晶片。P 型硅片有許多帶正電的空穴。為了生產(chǎn) N 型摻雜硅晶片，將添加磷、砷或銻等元素。N型硅片中有一個帶負(fù)電的電子。晶圓中發(fā)現(xiàn)的摻雜劑數(shù)量將確定它是退化的還是外來的。

簡并意味著其中有更高濃度的摻雜劑，而外在意味著它有很少或中等的摻雜劑。 如前所述，硅晶圓的主要用途是在集成電路 ( IC ) 中，因為它構(gòu)成了 IC 的關(guān)鍵組件。IC 是協(xié)同工作以執(zhí)行特定任務(wù)的電子元件的集合。盡管隨著時間的推移對不同的半導(dǎo)體進(jìn)行了測試，但硅已被證明是更穩(wěn)定的選擇。

硅晶圓用于世界各地的各種小工具。它的應(yīng)用跨越不同類型的行業(yè)。以下是硅晶片用例的詳細(xì)信息：

半導(dǎo)體有不同的形式和形狀，是各種電子設(shè)備的基石。這些包括晶體管、二極管和集成電路。它們是使用硅晶片制造的，因此具有緊湊性和效率。由于它們能夠處理各種電壓或電流，它們被用于光學(xué)傳感器、功率設(shè)備，甚至激光器。

硅晶圓被廣泛應(yīng)用于電子和計算領(lǐng)域，是數(shù)字時代的推動者。RAM 芯片是一種集成電路，由硅晶圓制成。這使得硅晶圓在計算行業(yè)中占有重要地位。

此外，硅晶圓通常用于制造許多設(shè)備，如智能手機(jī)、汽車電子產(chǎn)品、家用電器和無人機(jī)技術(shù)。實際上，任何電子電路設(shè)備都有硅晶圓的高級用例。新的制造技術(shù)和自動化流程使它們更加有效和高效。 對于光學(xué)分級，拋光硅晶片通常是專門制造的。

硅晶圓是反射光學(xué)和紅外 (IR) 應(yīng)用中理想的經(jīng)濟(jì)材料。Floating Zone 或 CZ 制造方法用于制造用于光學(xué)器件的硅晶圓。

這是因為這些方法產(chǎn)生的缺陷更少并且比其他方法更高。在全世界的微光學(xué)和光纖設(shè)備中都有使用。一個明顯的例子是由相機(jī)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 制成的圖像傳感器 (CIS)。

太陽能電池需要硅晶片來提高效率并吸收更多的陽光。經(jīng)常使用非晶硅、單晶硅和碲化鎘等材料。Floating Zone 方法等制造工藝可將太陽能電池效率提高近 25%。就像微芯片一樣，太陽能電池也遵循類似的制造過程。太陽能電池所需的純度和質(zhì)量水平不像用于計算和其他電子產(chǎn)品那樣苛刻。

由于其優(yōu)越的性能和品質(zhì)，硅片自問世以來就被廣泛應(yīng)用于航空領(lǐng)域。硅晶片在航空工業(yè)中經(jīng)常用作覆蓋和粘合材料，并用于保護(hù)和隔離精密工具免受極端溫度的影響。幾十年來，由于其廣泛的使用和耐高溫性，它一直是一個不錯且值得信賴的選擇。

有機(jī)硅是該行業(yè)中最常用的材料。在長鏈氧以及硅成分上形成的具有化學(xué)凝聚力的聚合物構(gòu)成了其中的大部分。硅晶圓對飛機(jī)原始設(shè)備制造 (OEM) 以及維修、維護(hù)和大修非常有幫助。飛機(jī)由于頻繁使用而磨損，需要更換。

硅晶片幾乎用于人類生活的每一個元素和技術(shù)的進(jìn)步。由于其相對于其他半導(dǎo)體材料的穩(wěn)定性，硅晶片是技術(shù)領(lǐng)域中使用最廣泛的材料。與其他金屬物質(zhì)相比，它們不僅提供了更好的選擇，而且在地球上也隨處可見。

正是由于對硅、碳化硅 (SiC)、鍺、砷化物和鎵等半導(dǎo)體材料的開發(fā)和研究，技術(shù)進(jìn)步才有可能達(dá)到如此巨大的水平。多虧了由硅晶片驅(qū)動的 IC 的發(fā)明，科學(xué)家和發(fā)明家已經(jīng)利用它來將大型笨重的機(jī)器簡化為易于隨身攜帶的手持設(shè)備。這已成為大多數(shù)制造業(yè)領(lǐng)域的廣泛創(chuàng)新變革。

審核編輯：劉清