IGBT是繼MOSFET之后，新一代的開關(guān)器件，主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合而形成的器件。它具有低開關(guān)損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開關(guān)等優(yōu)點(diǎn)，因此在各個(gè)領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用，如電力、軌道交通、電動(dòng)汽車等。本文將詳細(xì)介紹IGBT如何選型以及選型時(shí)要考慮的參數(shù)。

IGBT如何選型

第一，IGBT的參數(shù)并不是一成不變的，所以不同的電路對(duì)其要求也是不一樣的，尤其是開關(guān)器件對(duì)于IGBT的要求各不相同，比如對(duì)其額定電壓的選擇就是有很大差異的，但是基本上都會(huì)要求其額定電壓要高于直流母線電壓的兩部，關(guān)于這一點(diǎn)，在選購(gòu)IGBT的時(shí)候必須要清楚，并且根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí)，選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。

第二，不同功率的變頻器，其負(fù)載電流是不一樣的，但是由于負(fù)載電器啟動(dòng)或者加速的是，其電流肯定是會(huì)過載的，比如在一分鐘的時(shí)間之內(nèi)很有可能需要承受1.5倍的過流，所以最大負(fù)載電流要比負(fù)載電流要高很多。

第三，變頻器的開關(guān)頻率一般小于10KHZ，而在實(shí)際工作的過程中，lGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大，建議選擇低通態(tài)型IGBT，以30KW，逆變頻率小于10kHz的變頻器為例，選擇IGBT的開關(guān)參數(shù)。

第四，影響IGBT的可靠性因素大概有兩個(gè)，一個(gè)是柵電壓，另一個(gè)就是Miller效應(yīng)。GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系，正向柵電壓越高，開通損耗越小，正向壓降也略小。而為了降低Miller效應(yīng)的影響，在IGBT柵驅(qū)動(dòng)電路中采用改進(jìn)措施的。

在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)

一、電壓等級(jí)

IGBT的電壓等級(jí)是選擇時(shí)的重要因素。一般而言，越高的電壓等級(jí)對(duì)應(yīng)的是更高的價(jià)格，但也能帶來更高的工作效率。因此，在選型時(shí)需要根據(jù)所需工作電壓來選擇適合的器件。

二、電流等級(jí)

電流等級(jí)是另一個(gè)重要的選型考慮因素。電流等級(jí)較高的IGBT通常具有更高的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，但也需要更大的散熱器和設(shè)計(jì)跡象的考慮。因此，在確定所需電流等級(jí)之前，需要對(duì)需要控制的電流進(jìn)行評(píng)估。

三、開關(guān)速度

IGBT的開關(guān)速度可以極大地影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。因此，在選型時(shí)，需要考慮所需開關(guān)頻率和所需的上升時(shí)間和下降時(shí)間。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)實(shí)際需求來平衡開關(guān)速度和其他性能要求之間的關(guān)系。

四、環(huán)境溫度

環(huán)境溫度對(duì)IGBT的工作十分重要，因?yàn)楦邷貢?huì)導(dǎo)致散熱不良，并降低器件壽命。因此，在選型時(shí)，需要考慮所需工作溫度的范圍，并選擇適合的散熱器來確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。