CMOS器件是一種采用CMOS技術(shù)制造的電子器件，具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子領(lǐng)域。本文將介紹cmos動(dòng)態(tài)功耗公式以及和cmos動(dòng)態(tài)功耗有關(guān)的電路參數(shù)。

cmos動(dòng)態(tài)功耗公式

動(dòng)態(tài)功耗包括：開(kāi)關(guān)功耗或稱(chēng)為反轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱(chēng)為內(nèi)部功耗；

開(kāi)關(guān)功耗：電路在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對(duì)輸出節(jié)點(diǎn)的負(fù)載電容充放電所消耗的功耗。比如對(duì)于下面的CMOS非門(mén)中：

當(dāng)Vin=0時(shí)，PMOS管導(dǎo)通，NMOS管截止；VDD對(duì)負(fù)載電容進(jìn)行充電；

當(dāng)Vin=1時(shí)，PMOS管截止，NMOS管導(dǎo)通；VDD對(duì)負(fù)載電容進(jìn)行放電；

這樣開(kāi)關(guān)的變化，電源的充放電，形成了開(kāi)關(guān)功耗，開(kāi)關(guān)功耗的計(jì)算公式如下：

在上式中，VDD為供電電壓，Cload為后級(jí)電路等效的電容負(fù)載大小，Tr為輸入信號(hào)的翻轉(zhuǎn)率；

cmos動(dòng)態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關(guān)

CMOS的動(dòng)態(tài)功耗和電路的開(kāi)關(guān)電流和短路電流有關(guān)。

CMOS使用注意事項(xiàng)：

1、COMS電路時(shí)電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對(duì)干擾信號(hào)的捕捉能力很強(qiáng)。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個(gè)恒定的電平。

2、輸入端接低內(nèi)組的信號(hào)源時(shí)，要在輸入端和信號(hào)源之間要串聯(lián)限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。

3、當(dāng)接長(zhǎng)信號(hào)傳輸線時(shí)，在COMS電路端接匹配電阻。

4、當(dāng)輸入端接大電容時(shí)，應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。

5、COMS的輸入電流超過(guò)1mA，就有可能燒壞COMS。