近日，岳麓山大科城第二批核心技術(shù)攻關(guān)“揭榜掛帥”項目——《大功率碳化硅MOSFET及SBD芯片技術(shù)研究》取得重要研發(fā)突破，芯片綜合性能趕上國際先進水平，部分指標實現(xiàn)領(lǐng)先。

早在2022年4月，大科城發(fā)布第二批核心技術(shù)攻關(guān)“揭榜掛帥”項目，該項目由瀏陽泰科天潤半導體技術(shù)有限公司（以下簡稱“泰科天潤”）發(fā)榜，湖南大學和東莞天域半導體股份有限公司共同揭榜，聚焦新一代半導體產(chǎn)業(yè)鏈“卡鏈處”進行技術(shù)攻關(guān)。

作為發(fā)起單位，大科城對本次核心技術(shù)攻關(guān)“揭榜掛帥”項目予以單個項目最高300萬元的資金補助，同時在項目實施、科研攻關(guān)、產(chǎn)業(yè)落地等方面進行全程跟蹤幫扶，提供政策支持。

項目實施一年多來，針對本課題難點——碳化硅（SiC）MOSFET芯片研究部分，湖南大學國家電能變換與控制工程技術(shù)研究中心教授王俊、副研究員梁世維等科研人員在研發(fā)過程中，打破了國外專利壁壘，發(fā)明了“場板型分裂柵SiC MOSFET”。泰科天潤則突破了高質(zhì)量柵氧、表面鈍化、高溫變能多次離子注入等工藝難點，在成熟的6英寸碳化硅生產(chǎn)線完成了新型SiC MOSFET工程樣品的研制工作，泰科天潤的工程團隊展現(xiàn)了深厚的碳化硅工藝能力，批次流片的一致性和穩(wěn)定性得到了各專家的一致認可，為量產(chǎn)打下堅實的基礎(chǔ)。

“經(jīng)電學特性測試后，相應數(shù)據(jù)與國際SiC龍頭企業(yè)美國科銳公司同類芯片產(chǎn)品的導通電阻相當。”王俊介紹，由于引入了場板分離型的分裂柵結(jié)構(gòu)，芯片具有更低的反向傳輸電容，高頻優(yōu)值接近國外先進水平，較之傳統(tǒng)平面柵結(jié)構(gòu)器件指標數(shù)值明顯改善。

在實測中，研究人員還發(fā)現(xiàn)本批次芯片開關(guān)性能有所提升，關(guān)斷損耗較國外龍頭企業(yè)同類產(chǎn)品低17%，將有效提升電能變換效率。以新能源汽車行業(yè)為例，這一領(lǐng)先優(yōu)勢將幫助提升電動汽車的續(xù)航里程。

泰科天潤項目經(jīng)理俞偉告訴記者，此次項目整體進度領(lǐng)先預期時效，研發(fā)課題組將繼續(xù)深化合作，持續(xù)優(yōu)化提升SiC 器件性能，提高制備工藝的穩(wěn)定性，爭取盡快實現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品的穩(wěn)定量產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)化應用，進一步提升湖南在第三代半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的影響力，助力長沙打造全球功率半導體研發(fā)中心城市。

編輯：黃飛