Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
這款新型MOSFET采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，提供30、40、60和80 mΩ RDson值供客戶選擇。這一靈活的封裝和多樣化規格滿足了不同應用場景的需求。
Nexperia在2023年底發布的兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件基礎上，進一步豐富了其SiC MOSFET產品組合。此次推出的新品不僅擴展了RDson值的范圍（包括17、30、40、60和80 mΩ），還提供了更加靈活的封裝選擇。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
148文章
7761瀏覽量
216806 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2940瀏覽量
49823 -
Nexperia
+關注
關注
1文章
774瀏覽量
57475
發布評論請先 登錄
相關推薦
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊
安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅
碳化硅MOSFET的優勢有哪些
隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及，全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，以其優越的性能在功率電子領域中嶄露頭角
為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650
發表于 01-22 10:43
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性
發表于 01-04 12:37
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統設計更緊湊、更高效
1200V碳化硅sic功率器件測試及建模
隨著電力電力電子技術逐漸向高壓大電流方向發展，傳統的 Si 基器件由于損耗大、開關速度慢、耐壓低等缺點逐漸被 SiC（碳化硅）器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應用最為廣泛，小電流器件主要
發表于 10-17 13:44
?0次下載
納微半導體發布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體的行業領軍者，近日正式推出了其最新研發的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs產品系列，包括650V和1200V
納微正式發布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs產品系列
氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）正式發布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅
Nexperia(安世)發布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業應用增長需求
近日，全球知名的半導體制造商Nexperia(安世)半導體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發
安世半導體宣布推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司現推出業界領先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件
先導中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品
在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導中心再度展現了其技術實力，推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
工商網監
評論