韓國是全球集成電路產業大國，其半導體產業規模占全國 CDP 的 5%，目前擁有兩萬至家企業支撐著其半導體產業。韓國集成電路產業起源于20世紀 60年代，當時美國半導體企業將封裝產能轉移到了韓國。從1966年開始，以仙童公司、摩托羅拉公司、Signeties 公司為代表的美國公司開始利用韓國的成本優勢，在韓國投資設立封裝或組裝廠，轉移相關產能。隨后，以南亞、IG、現代為代表的韓國本士企業也開始進人半導體封測環節。與此同時，在日韓實現邦交正常化的基礎上，以東芝為代表的日木半導體廠商也開始在韓國投資建設工廠。以上奠定了韓國集成電路產業的發展基礎。??

1973 年，韓國成立了國家科學技術委員會。1975年，韓國政府制定了推動半導體產業發展的六年計劃，建立了韓國高級科學技術研究院 (KAIST)。1976年韓國又建立了韓國電子技術研究所（KIST)，進行超大規模集成電路的研究1974 年，韓裔美籍專家姜基東創立了第一家韓國本土半導體企業韓國半導體公司（后被三星公司收購)，標志著韓國擁有了自己控制的半導體制造企業。到20世紀 70年代末，韓國己經通過美國和日本獲得了集成電路產業生產的技術，達到了生產超大規模集成電路的技術水平。

1981年韓國政府通過 《半導體工業綜合發展計劃》 以支持 4Mbit、256MbitDRAM 的開發。同時，在政府的支持下，三星、現代和IG 開始進軍集成電路制造領域。1982年三星建立了一個半導體研發實驗室．專注于雙極型和金屬-氧化物-半導體的道向工程和技術吸收。1983 年韓國幾大半導體公司開始為 IBM德州儀器、Intel代工 DRAM 芯片。1986年，韓國開始自主研發存儲器芯片，將4Mbit DRAM 列為國家項目，同時將三星、IG 和現代組成聯盟，由韓國電子技術研究所作為廠商、大學和政府的協調者。在1986-1989 年這三年進行的 4MbitDRAM 研發中，韓國總共投人 1.1億美元，其中政府承擔了其中的 57%，遠超其他國家項目。4Mbit DRAM 的成功研發，不僅縮短了韓國 DRAM 技術與美日之間的差距，更使得三星 現代、IC 等大型企業建立起了獨立研發的能力。1992年與美國和日本同期研發制造出 64Mbit DRAM 芯片，1995 年韓國率先制造出256Mbit DRAM 產品，技術水平超越美國和日本。

除了存儲器領域在全球處于領先地位，韓國在應用處理器、ASIC 等領域也具有很強的競爭力。三星公司是全球能夠進行 14nm 代工的三家企業之一。另外，韓國在半導體設備和材料領域也具有較強的競爭力，SEMES、圓益IS、KCTech、Nepes、 SK Material 等公司為韓國半導體國產化做出了很大貢獻。與此同時，韓國目前的存儲器產能也在向海外轉移，中國西安和無錫分別承接了三星和 SK 海力士的存儲器生產產能。

2016年，韓國產業規模占全球市場的17%，排名全球第2位。根據 ICInsights 數據，2016 年全球前 10位半導體企業中，三星和 SK 海力士分列第2和第6位，全球前50 位 Fabless 廠商中，Silicon Works 排名第 22；全球前 10位Foundry 中，東部電子 (Dong Bu Hitech）排名第9位。