做電子產(chǎn)品，不免要跟存儲(chǔ)類產(chǎn)品打交道，也就是我們說(shuō)的MEMORY。

MEMORY從類別上可以分兩類：RAM和ROM。 目前消費(fèi)類電子中的ROM幾乎都是FLASH型的，主要有NAND和NOR兩大類，還有極小一部分是EPROM或者EEPROM的FLASH。而RAM多是SDRAM或者DDRx SDRAM型的。

實(shí)際上還有一類MEMORY，也是手機(jī)產(chǎn)品通常采用的:MCP。 它實(shí)際上是把RAM和ROM包在一起了。而根據(jù)內(nèi)部包的東西，可以分為NAND+SDRAM型、NOR+SDRAM型，eMMC+SDRAM型。這里邊eMMC就是NAND型的一種，只不過(guò)它里邊包了NAND、SDRAM和相應(yīng)的NAND接口控制器。

具體分類見(jiàn)下圖：

我們先來(lái)說(shuō)FLASH。

通常，手機(jī)類嵌入式系統(tǒng)里的Flash相當(dāng)于電腦的硬盤(pán)。用來(lái)做硬件啟動(dòng)、 軟件數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和一些用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的。

NOR FLASH的特點(diǎn)是傳輸效率高、容量小、貴。 NOR FLASH實(shí)行的是芯片內(nèi)執(zhí)行，應(yīng)用程序可以直接跑在NOR上面，而不用把代碼取到RAM再讀。由于它自身結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，很難把NOR FLASH做大，目前能做的最大的就是128MB的，做到這么大的巨貴無(wú)比。。。一般都是4MB、8MB以下的應(yīng)用場(chǎng)景會(huì)使用NOR FLASH較多。基于它的特點(diǎn)，手機(jī)上已經(jīng)看不見(jiàn)NOR FLASH了。

NAND FLASH的特點(diǎn)是高的寫(xiě)入和擦除速度、容量大、便宜。 一個(gè)8MB的NOR FLASH 比一個(gè)128MB的NAND FLASH便宜不了幾毛錢，可想而知這個(gè)價(jià)格差距是有多大。但是NAND有自己的缺點(diǎn)：就是在使用過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生壞塊，并且容易產(chǎn)生位反轉(zhuǎn)（NOR也會(huì)發(fā)生位反轉(zhuǎn)，但概率不高）。這就要求NAND在使用時(shí)候CPU要有針對(duì)它相應(yīng)的壞塊管理和ECC校驗(yàn)位檢測(cè)。

NAND還能往下分類，分為SLC、MLC和TLC的，它們是單層單元、多層單元和三層單元。 我說(shuō)下大概原理。SLC一個(gè)晶圓根據(jù)它的電壓儲(chǔ)存一個(gè)位，內(nèi)容為0或1兩個(gè)數(shù)字。MLC一個(gè)晶圓能存兩位，內(nèi)容為00、01、10、11四個(gè)。TLC就是能存三位了，表示八個(gè)數(shù)字。可以發(fā)現(xiàn)相同晶圓的TLC要比SLC容量多了7倍。但是，MLC是根據(jù)電壓來(lái)分成八位的，存在很多不穩(wěn)定因素，可靠性極差，擦寫(xiě)次數(shù)也很少，大概壽命500次擦寫(xiě)左右，因此一般來(lái)講很少會(huì)用MLC。相對(duì)來(lái)講SLC的品質(zhì)就很高，品質(zhì)好的壽命可以達(dá)到上萬(wàn)次的擦寫(xiě)。我們通常使用的以SLC居多，MLC也有少量。

現(xiàn)在，由于工藝的提高，要求元器件尺寸越來(lái)越小，NAND和NOR的大尺寸不能滿足生產(chǎn)需要，于是一種SPI NAND/NOR FLASH 應(yīng)運(yùn)而生。顧名思義，它的本質(zhì)還是NAND/NOR，只不過(guò)接口改用了SPI接口。現(xiàn)在很多CPU都會(huì)兼容SPI NAND/NOR的FLASH，讓選擇可以更多一些。而SPI NAND FLASH由于做了接口處理，所以也有相應(yīng)的壞塊管理功能在里面，減少了CPU的內(nèi)存資源。

多說(shuō)一句，我們通常說(shuō)的SPI FLASH默認(rèn)指的是SPI NOR FLASH，如果你想要NAND的話一定要特別強(qiáng)調(diào)說(shuō)出來(lái)是SPI NAND FLSH。