面向光電子異質集成的微轉印技術是一種用于將微觀尺度的光電子器件從一個基底上轉移到另一個基底上的先進技術。這種技術的應用范圍廣泛，特別適用于半導體、光電子學和納米器件的制備和集成。雖然微轉印技術在光電子異質集成中有很多優(yōu)勢，但也面臨一些挑戰(zhàn)，比如對器件和基底表面的處理要求較高，對準精度要求嚴格，以及在一些特殊材料和器件結構上的應用尚待改進等。隨著技術的不斷發(fā)展，微轉印技術在光電子學領域的應用前景將更加廣闊。

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，香港科技大學（廣州）副教授王蘊達帶來了“面向光電子異質集成的微轉印技術”的主題報告。

報告中表示，MicroLED顯示應用驅動下，已發(fā)展了多種技術路線：包括激光釋放，流體自主裝等。不同技術路線各有優(yōu)、缺點。評價標準包括轉移速度、轉移精確度，以及工程復雜度、設備成本等。同時，MicroLED巨量轉移并未完全突破。控制轉移成本和提高良率是商業(yè)化的關鍵。（依然有發(fā)展需求和空間）

報告初步探討了微轉印技術的廣泛應用，包括III-V族半導體與硅光子（SiPh）的集成，制造先進的MicroLED顯示器和開發(fā)各類創(chuàng)新電子設備。

并重點介紹了可編程微轉印技術，包括其涉及的方法、過程和局限。展示了在香港科技大學（廣州）（HKUST-GZ）的研究小組的現(xiàn)有工作和取得的成果。我們的研究致力于推動微轉印技術的進一步發(fā)展和成熟，探索創(chuàng)新的方法和技術，以提高微尺度異構集成的效率和能力。

他在報告中指出，未來將針對MicroLED巨量轉移開發(fā)大矩陣、高通量、可編程的轉印頭。面向硅光集成應用開發(fā)兼容不同材料、形狀和表面形貌的芯片的轉移技術，滿足多種器件的制造需求。

審核編輯：劉清