上期和大家聊的電源PCB設計的重要性，那本篇內容小編則給大家講講存儲器的PCB設計建議，同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例，詳細介紹一下DDR模塊電路的PCB設計要如何布局布線。

由于RK3588 DDR接口速率最高達4266Mbps，PCB設計難度大，所以強烈建議使用瑞芯微原廠提供的DDR模板和對應的DDR固件，DDR模板是經過嚴格的仿真和測試驗證后發布的。

在單板PCB設計空間足夠的情況下，優先考慮留出DDR電路模塊所需要的布局布線空間，拷貝瑞芯微原廠提供的DDR模板，包含芯片與DDR顆粒相對位置、電源濾波電容位置、鋪銅間距等完全保持一致。

如下8張圖分別為：L1-L8層DDR電路走線示意圖。

如果自己設計PCB，請參考以下PCB設計建議，強烈建議進行仿真優化，然后與瑞芯微原廠FAE進行確認，確認沒問題以后再進行打樣調試。

1、CPU管腳，對應的GND過孔數量，建議嚴格參考模板設計，不能刪減GND過孔。8層通孔的PCB模板，CPU管腳GND過孔設計如下圖所示，黃色為DDR管腳信號，地管腳為紅色。

2、信號換層前后，參考層都為GND平面時，在信號過孔25mil（過孔和過孔的中心間距）范圍內需要添加GND回流過孔（黃色為DDR信號，紅色為GND信號），改善信號回流路徑，GND過孔需要把信號換層前后GND參考平面連接起來。

一個信號過孔，至少要有一個GND回流過孔，盡可能增加GND回流過孔數量，可以進一步改善信號質量，如下圖所示。

3、GND過孔和信號過孔的位置會影響信號質量，建議GND過孔和信號過孔交叉放置，如下圖所示，雖然同樣是4個GND回流過孔，4個信號過孔在一起的情況要避免，這種情況下過孔的串擾最大。

4、8層板建議DDR信號走第一層、第六層、第八層，DQ、DQS、地址和控制信號、CLK信號都參考完整的GND平面，如果GND平面不完整，將會對信號質量造成很大的影響。

5、如下圖所示，當過孔導致信號參考層破裂時，可以考慮用GND走線優化下參考層，改善信號質量。

6、繞線自身的串擾會影響信號延時，走線繞等長時，注意按下圖所示。

7、在做等長時，需要考慮過孔的延時，如下圖所示。

8、非功能焊盤會破壞銅皮，以及增大過孔的寄生電容，需要刪除過孔的非功能焊盤，做無盤設計。

9、走線距離過孔越近，參考平面越差，走線距離過孔鉆孔距離建議≧8mil，有空間的地方增大間距。

10、調整過孔位置，優化平面的裂縫，不要造成平面割裂，起到改善回流路徑的作用，如下圖所示。

11、DQS、CLK、WCLK信號需要做包地處理，包地線或銅皮建議間隔≦400mil，打一個GND過孔，如下圖所示。

12、對于VDD_DDR電源，DCDC區域電源換層時，建議打≧6個0503過孔。

13、對于VDDQ_DDR電源，DCDC區域電源換層時，建議打≧6個0503過孔。

14、對于VDD2_DDR電源，DCDC區域電源換層時，建議打≧6個0503過孔。

15、對于VDD1_1V8_DDR電源，電源平面換層時，建議至少打≧2個0402過孔。

16、每個電容焊盤建議至少一個過孔，對于0603或者0805封裝的電容建議一個焊盤對應兩個過孔，過孔的位置要靠近管腳放置，減小回路電感。

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審核編輯：湯梓紅