據《電子時報》報道,三星電子為了鞏固在nand閃存市場上的領先地位,再次適用雙線程技術,制造出300段以上的3d nand,試圖在成本競爭上甩開競爭公司。
最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
最近,sk海力士公布了到2025年批量生產321段3d nand的計劃。對此,不僅是三星,就連業界專家也表示驚訝。sk海力士與三星的不同之處是使用了“三重stack”技術,即,將3個三維nand獨立層堆砌成120段、110段、91段后,再制造成一個芯片。
去年10月舉行的“三星techno day 2022”上公布了到2030年建設1000層的藍圖。當時業界專家預測說,三星在第9代3d nand之后的第10代430段產品上也將適用三重線程技術。
國內nand業界有關負責人一致表示:“如果不使用三重nand,要想積累400段以上3d nand是一個課題。”但是,triple stack技術和double stack技術在費用和效率方面存在相當大的差異。當然,如果使用雙開關型工程,在原材料和生產費用方面都有優勢。
據悉,三星在內部制定了在第10代3d nand上適用三重slagle工程的技術發展藍圖。另外,為加強成本競爭力,正在與東京電子(tel)等半導體設備企業進行密切合作。
業界相關人士表示:“由于存儲器事業的嚴重停滯,危機感增大的三星最近的三維nand配置戰略,可以看作是2024年存儲器市場恢復的關鍵階段。”
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