三星否認(rèn)HBM3E芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
據(jù)三星電子官方表示，他們無(wú)法證實(shí)與客戶相關(guān)的具體報(bào)道內(nèi)容，并直接指出這一報(bào)道是不準(zhǔn)確的。同時(shí)，三星電子的一位高管進(jìn)一步透露，目前HBM3E芯片的質(zhì)量測(cè)試工作仍在緊鑼密鼓地進(jìn)行中，與上月公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議時(shí)所通報(bào)的進(jìn)展并無(wú)任何變化。
此次澄清消除了市場(chǎng)對(duì)于三星HBM3E芯片進(jìn)展的誤解，也再次強(qiáng)調(diào)了公司在產(chǎn)品測(cè)試和質(zhì)量保證方面的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度。未來(lái)，隨著測(cè)試的深入，相信會(huì)有更多關(guān)于這款先進(jìn)芯片的具體信息被逐步披露。
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發(fā)表于 08-01 11:08
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