三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM
近日，韓國(guó)三星電子公司透露了一個(gè)引人矚目的消息，有可能在不久的將來(lái)向美國(guó)的人工智能巨頭英偉達(dá)提供其先進(jìn)的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。這一消息無(wú)疑為科技界帶來(lái)了新的期待。
值得一提的是，三星電子在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無(wú)疑加劇了HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。
然而，對(duì)于三星電子來(lái)說(shuō)，向英偉達(dá)供應(yīng)HBM不僅是一個(gè)重要的商業(yè)機(jī)會(huì)，更是展示其技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力的重要契機(jī)。通過(guò)與英偉達(dá)的合作，三星電子有望進(jìn)一步鞏固其在HBM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，并為未來(lái)的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
綜上所述，三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM的消息無(wú)疑為科技界帶來(lái)了新的期待。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182108 -
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1804文章
48672瀏覽量
246210 -
英偉達(dá)
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
3919瀏覽量
93075 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
404瀏覽量
15099
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá)，國(guó)內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)
三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片
芯片。作為當(dāng)前市場(chǎng)上最先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)之一，HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達(dá)正在對(duì)
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星
三星或重獲英偉達(dá)游戲芯片訂單
據(jù)外媒最新報(bào)道，三星電子有望重新獲得英偉達(dá)的未來(lái)新款游戲芯片（GPU）制造訂單，這一消息為三星的市場(chǎng)前景注入了新的活力。
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速AI GPU市場(chǎng)布局
近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證，并正式開啟
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)
進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過(guò)英偉
三星否認(rèn)HBM3E芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳
三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過(guò)全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉
三星電子否認(rèn)HBM3e芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向
三星否認(rèn)HBM3E通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試傳聞
近期，有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過(guò)英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存
三星電子突破瓶頸,HBM3e內(nèi)存芯片獲英偉達(dá)質(zhì)量認(rèn)證
在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來(lái)振奮人心的消息。據(jù)韓國(guó)主流媒體NewDaily最新報(bào)道，三星
英偉達(dá)否認(rèn)三星HBM未通過(guò)測(cè)試
英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論