泰為推出的基于TAE32F5300芯片的1KW圖騰柱PFC+LLC電源方案，其中功率管使用了GaNext (鎵未來) 的GaN (型號為：G1N65R035TB-N)。該方案具有性能優(yōu)越、效率高等特點，其主要性能參數(shù)如下：

基于TAE32F5300芯片的1KW圖騰柱PFC+LLC的電源方案可以實現(xiàn)，得益于芯片的如下性能：

具有ERPU協(xié)處理器，節(jié)約算法運算耗時

12通道高精度脈寬調(diào)制器（PWM）,每路PWM輸出最小分辨率為195ps

ADC支持2.2MSPS采樣速率，ADC分辨率達到13位，支持過采樣、平均濾波等功能

4路DAC和CMP,其中DAC的分辨率為12位，CMP的轉(zhuǎn)換延遲為18ns

支持CBC、OST等多種故障保護模式

Vol.2 方案特點

基于TAE32F5300的1KW圖騰柱PFC+LLC數(shù)字電源具有強大的產(chǎn)品優(yōu)勢：

1

更高效

圖騰柱拓撲&GAN 具有更低的功率損耗，整機峰值效率達96%

2

更快速

使用IIR模塊實現(xiàn)50K的軟件鎖相，實現(xiàn)更高的環(huán)路計算頻率

3

更穩(wěn)定

數(shù)字控制方式、自動環(huán)路補償功能，加快了瞬態(tài)響應(yīng)能力，增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性

4

更安全

芯片內(nèi)置快速的比較器，可實現(xiàn)CBC保護，可以軟件編輯過壓、欠壓、過流等各種保護功能

TAE32F5300提供LQFP64、LQFP48、WQFN40、QFN32四種封裝形式。全系列內(nèi)置75KB容量FLASH程序存儲器，16KB容量數(shù)據(jù)FLASH存儲器，16KB系統(tǒng)SRAM+8KB算法SRAM，工作結(jié)溫范圍為-40°C ~ 125°C （工業(yè)級溫度）。

TAE32F5300已于2021年實現(xiàn)量產(chǎn)。