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新品 | 3300W無橋圖騰柱PFC參考設計

英飛凌工業半導體 ? 2024-10-17 08:03 ? 次閱讀

新品

3300W無橋圖騰柱PFC參考設計

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REF_3K3W_TP_SIC_TOLL 3300W無橋圖騰柱PFC參考設計是采用英飛凌功率半導體、驅動器微控制器的系統解決方案。它采用無橋圖騰柱拓撲結構,非常適合要求卓越的效率和功率密度的高端應用。圖騰柱設計簡便易行,減少了元件數量,并充分利用了PFC電感器和功率開關,從而以有限的系統成本實現高功率密度。

相關器件:

REF_3K3W_TP_SIC_TOLL

相關器件:

■1EDB8275F(EiceDRIVER單通道隔離柵極驅動器)

■1EDB9275F(EiceDRIVER單通道隔離柵極驅動器)

■BAT 165 E6327(肖特基二極管

■ICE5QSAG(CoolSET準諧振控制器

■IMT65R048M1H(650V CoolSiC MOSFET,采用TOLL封裝)

■IPT60R022S7(CoolMOS S7超結MOSFET)

■IPU95R3K7P7(CoolMOS P7系列MOSFET)

■XMC1402-Q040X0064 AA(采用ARM Cortex-M0的XMC 32位微控制器)

產品特點

基于碳化硅的圖騰柱PFC

采用CoolMOS和CoolSiC實現最高效率

高功率密度SMD設計

數字控制由XMC1402實現

應用價值

完整的英飛凌半導體解決方案

98.9%高效率(1650瓦,50%負載)

緊湊型設計(80W/in3)

元件數量少

競爭優勢

REF_3K3W_TP_SIC_TOLL是英飛凌無橋圖騰柱PFC系統解決方案,其峰值效率高達98.9%,外形尺寸為1U,功率密度為 80W/in3。

REF_3K3W_TP_SIC_TOLL評估板采用TOLL封裝的CoolSiC MOSFET 650V G1和600V CoolMOS MOSFET,CoolSiC和CoolMOS的結合實現了緊湊外形下的高性能。

無橋拓撲結構通過XMC 1000系列英飛凌微控制器實現全數字控制。該電路板在PFC運行時不僅在穩態條件下表現出色,提供高效率和高質量的輸入電流,而且還能滿足電源線干擾和掉電保持時間的要求。

應用領域

用于電信基礎設施的交流-直流功率轉換

電池充電器

電動汽車充電

功率轉換

服務器電源

框圖

457cf118-8c1b-11ef-b5cd-92fbcf53809c.jpg

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