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SD NAND使用注意事項和焊接/解焊溫度

MK米客方德 ? 2023-08-28 14:18 ? 次閱讀

散包裝SD NAND的使用注意事項

1、若購買散包裝,請務(wù)必上線前120℃烘烤8小時。
2、若物料沒有全部使用,剩余部分請務(wù)必存放于氮氣柜或抽真空保存,再次上線前請務(wù)必120℃烘烤8小時。
MK-米客方德 SD NAND封裝示意圖:

wKgaomTsOvKAXpgmAAJ3azBi37E901.png

貼片溫度和貼裝順序

1、峰值溫度請務(wù)必控制到250℃以內(nèi),且此峰值溫度下,時間不能超過10秒。
2、若PCB有A/B面,存儲器件請最后貼裝。

芯片內(nèi)部

不同廠家的芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是不一樣的,例如MK-米客方德家的芯片內(nèi)部是PCB基板的

wKgaomTsOwaAMIwcAAEMm40XAgU195.png

eMMC/SD NAND內(nèi)部有使用Flash + Flash控制器 +數(shù)顆電容,內(nèi)部線路較為復(fù)雜,所以必須使用PCB封裝基板,若回流焊前受潮,容易發(fā)生分層,使產(chǎn)品發(fā)生不穩(wěn)定的因素。
1、SOP/TSOP/WSON封裝的襯底使用的材質(zhì)是金屬框架,其擁有更好的散熱性、結(jié)實耐操,成本低,但不適用于內(nèi)部的復(fù)雜走線。
2、LGA/ BGA封裝的襯底使用的是PCB,適用于復(fù)雜的布線,可以讓芯片尺寸更小巧,但散熱性和結(jié)實度稍遜色,成本也會更高。

另外,eMMC/SD NAND內(nèi)部有使用Flash + Flash控制器 +數(shù)顆電容,內(nèi)部線路較為復(fù)雜,若回流焊前受潮,容易發(fā)生分層,使產(chǎn)品發(fā)生不穩(wěn)定的因素。

焊接

LGA封裝焊接比較又難度,有條件的盡可能選擇液體錫膏和加熱臺,沒有加熱臺的可以用風(fēng)槍,風(fēng)槍溫度盡量不要超過350℃
解焊:盡可能選擇加熱臺,若必須使用風(fēng)槍,建議風(fēng)槍溫度控制在350℃,30秒以內(nèi),

樣品風(fēng)槍測試

關(guān)于這個風(fēng)槍焊接我們做一個多種樣品對比測試,測試結(jié)果如下

wKgZomTsOw6Adh6nAAEoQX7j2mY821.png

從結(jié)果可以大概推斷出,當(dāng)風(fēng)槍焊接溫度超過350°,芯片的不良率會直線上升,

回流焊

sd nand回流焊的最高溫度不能超過245°±5°,回流焊溫度在250°之下是完全沒有問題的。回流焊的參數(shù)設(shè)置還需要根據(jù)焊錫的熔點和板子的其他元器件回流焊參數(shù)來設(shè)置,
下面是回流焊的曲線和一些參數(shù),

wKgZomTsOxiAYS0OAAC79qrWJmE418.pngwKgZomTsOx2AGoVrAAHjvjtz62c860.png

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