寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業和醫療領域中發揮著重要作用，提供了高效的光電轉換和探測功能，推動了許多現代科技應用的發展。寬禁帶半導體光電探測器通常具有高靈敏度、快速響應、低噪聲和寬光譜響應范圍等特性。這些特點使它們在許多應用中成為理想的選擇。

近日，以“構建紫外新興業態、促進科技成果轉化”為主題的“第三屆紫外LED國際會議暨長治LED產業發展推進大會”在山西長治盛大召開。會議由長治市人民政府、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，長治市發展和改革委員會、長治國家高新技術產業開發區管委會承辦。

開幕大會上，廈門大學黨委書記、教授張榮帶來了“寬禁帶半導體光電探測”的主題報告，詳細分享了AlGaN基、SiC基高性能紫外探測器件，Ga2O3基紫外探測器件、高靈敏空天紫外探測成像等技術最新進展。

寬禁帶半導體是紫外探測器件的優選材料，具有量子效率高、寬帶隙、固態器件、可用于惡劣環境等特點。SiC適合發展可見光盲探測（波長＜400nm），AIxGa1-xN（x≥0.4）可實現本征日盲探測（波長≤280nm）。當前寬禁帶半導體光電探測器面臨著強場下缺陷和極化對載流子輸運與碰撞離化的影響。器件內部電場調控與暗電流抑制技術，多元器件特性的一致性等關鍵科學技術問題挑戰。

報告介紹了AlGaN基高性能紫外探測器件技術的研究進展，并指出AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器件性能關鍵指標，增益和暗電流均為目前國際領先水平。

SiC單光子探測器研究方面，克服8英寸襯底應力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現基于國產襯底的碳化硅同質外延生長。提出空穴誘導雪崩和半臺面終端新結構，首次研制成功工作溫度高至150℃的碳化硅紫外單光子探測器。提出雪崩增益漲落補償新方法，首次研制出報道規模最大的零盲元1×128紫外光子計數線陣探測器，成功應用于日盲光子計數紫外成像儀。

極紫外探測器研究方面，提出梯度摻雜誘導淺結技術，研制成功高可靠性SiC EUV探測器，實現對13.5nm極紫外光高效檢測。率先實現產品化，打破國外極紫外探測器的壟斷和技術封鎖，在北京同步輻射裝置和多家重點單位應用。紫外探測在高壓線電弧光和電暈檢測領域具有信號唯一性，極具性能優勢，其大規模推廣基礎是高性能紫外探測芯片。

Ga2O3基紫外探測器件研究方面，率先提出和建立光致界面勢壘降低的物理模型，澄清了氧化鎵日盲探測器外量子效率普遍偏高的內在機理，得到S.J.Pearton等國際權威的理論和實驗認證。

日盲紫外探測成像技術具有重要的科學和應用意義，這種技術主要涉及使用紫外線（UV）波長范圍內的光來獲取圖像和信息。日盲紫外探測成像技術在科學研究、生命科學、應用領域以及安全和防御方面都具有廣泛的意義，有助于擴展對自然界和人造環境的認知，并提供許多實際應用的可能性。

報告介紹了高靈敏空天日盲紫外探測成像技術和日盲紫外激波探測成像技術的研究成果。其中，航發尾焰具有明顯的紫外輻射特性，有望根據日盲紫外特征，構建航空發動機工作運行狀態的新型診斷系統。

審核編輯：劉清