Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列,可完美替代進(jìn)口工業(yè)級(jí)芯片5ARxx系列 。該系列產(chǎn)品內(nèi)部集成了800V高壓功率MOSFET,通過(guò)PWM模式、降頻模式、BM模式三種工作模式混合調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率!
One more thing,芯朋產(chǎn)品都不會(huì)止步于替代。DIP7封裝的PN8715HNS-B1具有線電壓欠壓保護(hù)功能,SOP12封裝的PN8715HSC-A1具有線電壓過(guò)壓保護(hù)功能,功能比競(jìng)品更實(shí)用豐富,特別適合服務(wù)器、白電、PC、TV等應(yīng)用場(chǎng)景!
芯片介紹
一、芯片特性
- 隨負(fù)載情況工作于PWM、PFM、Active-Burst-Mode三種模式
- 內(nèi)置800V高雪崩能力的功率MOSFET
- 內(nèi)置跨導(dǎo)放大器,智能識(shí)別隔離和非隔離反饋
- 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)功能
- 最高工作頻率100kHz
- 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)
- 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償
- 優(yōu)異全面的保護(hù)功能: 過(guò)載保護(hù)(OLP)、逐周期過(guò)流保護(hù)(OCP)、 VDD過(guò)壓保護(hù)、 CS短路保護(hù)、 過(guò)溫保護(hù)(OTP)、線電壓過(guò)壓保護(hù)(OVP)、線電壓欠壓保護(hù)(BNO)
二、應(yīng)用場(chǎng)景
圖1 隔離反激型應(yīng)用
圖2 非隔離反激型應(yīng)用
芯片優(yōu)勢(shì)
800V智能功率器件
芯片內(nèi)部集成了800V高雪崩能力的功率MOSFET。PN8715H內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通電阻僅0.6Ω,實(shí)現(xiàn)ICE5AR0680系列替代;PN8712H內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通電阻2.8Ω,實(shí)現(xiàn)ICE5AR4780系列替代;導(dǎo)通損耗更低,轉(zhuǎn)換效率更高,溫升效果更佳!
高壓?jiǎn)?dòng)
芯片內(nèi)部集成了高壓?jiǎn)?dòng)管,無(wú)需外部啟動(dòng)電阻,可實(shí)現(xiàn)50mW待機(jī),具有高集成度的優(yōu)勢(shì)!
芯片對(duì)啟動(dòng)電流做了分段設(shè)計(jì),可防止VDD短路情況下,HV充電損耗過(guò)大,導(dǎo)致芯片過(guò)熱損壞。
混合工作模式
芯片通過(guò)檢測(cè)FB反饋信號(hào)決定芯片的工作頻率和CS電壓閾值。根據(jù)負(fù)載情況,工作于PWM、PFM、Burst-mode三種模式,可提高全負(fù)載段效率。
圖3 頻率變化表現(xiàn)
智能選擇反饋模式
PN8715H/PN8712H可智能選擇反饋模式,適應(yīng)反激非隔離或隔離應(yīng)用環(huán)境。
隔離反饋模式時(shí),S1開通,S2 open;非隔離模式時(shí),S2開通,S1 open,簡(jiǎn)單易用!
圖4 隔離反饋模式
圖5 非隔離反饋模式
全面保護(hù)
PN8715H/PN8712H提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括過(guò)載保護(hù)、逐周期過(guò)流保護(hù)、VDD過(guò)壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、過(guò)溫保護(hù),以及可選的線電壓過(guò)壓保護(hù)、線電壓欠壓保護(hù)。全方位的保駕護(hù)航,可以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求!
PN8715H(DIP7)特有的線電壓欠壓保護(hù)功能(可選),通過(guò)簡(jiǎn)單的外圍電路即可實(shí)現(xiàn)自定義設(shè)置。
圖6 BO腳外圍電路
PN8715H(SOP12)具有線電壓過(guò)壓保護(hù)功能,可以通過(guò)OV引腳用類似的方法實(shí)現(xiàn)。
圖7 OV腳外圍電路
文章來(lái)源:芯朋微電子
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