隨著hbm工程設備的商用化，半導體設備企業正在加快研究開發（rd）的步伐。

據業界11日稱，韓美半導體（hanm）最近推出了為hbm設計的“dual tc bonder griffin”。hbm可以將dram芯片垂直堆疊起來提高性能，芯片組裝置可以通過熱壓縮準確堆疊dram，從而保護數據路徑。

sti公司與世界級半導體公司簽訂了HBM專用設備的供應合同，設備名為“Flux Reflow”（助焊劑回流焊）。flux reflow設備在半導體焊接點和顛倒的芯片逆流的過程中，生成傳遞電信號的導電高峰。sti提供flux reflow設備，減少焊接造成的污染，提供最佳室內環境。

裝備企業east最近還實現了hbm專用晶圓壓縮機的商用化。該晶圓壓縮機進入hbm的“底部填充”過程，改善了半導體性能。充電工程是將dram堆積起來后，使絕緣樹脂均勻凝固，消除dram之間的雜質，防止振動或濕度等外部因素造成的損傷。

據悉，SK海力士目前占據全球HBM市場的50%以上份額，三星正迎頭追趕。近日三星電子副總裁兼存儲部門DRAM開發主管Sangjun Hwang宣布，三星開始向客戶提供高帶寬內存HBM3E樣品，且下一代產品HBM4正在開發中，目標2025年供貨。