10月，為期四天的第五屆全國寬禁帶半導體學術會議于蘇州召開。此次會議聚集了來自科研院所、高校與行業領域相關企業近700位專家、學者，一同探討寬禁帶半導體產業的發展現狀和未來趨勢。

中微公司集團副總裁 、MOCVD產品部總經理郭世平博士攜MOCVD技術團隊受邀出席了此次盛會。中微公司MOCVD高級工藝總監胡建正博士在本次大會上作了題為《大尺寸藍光Mini/Micro-LED外延生長助力高端顯示應用》的主題報告，引起在場嘉賓的廣泛關注。

胡建正博士談到，Mini/Micro-LEDs在高端顯示應用領域具有高對比度、高動態范圍、輕薄以及低能耗等諸多優點，近年來正受到越來越多的關注。然而，高昂的成本制約了Mini/Micro-LEDs技術的廣泛應用。為此，中微公司開發了一種新的技術發展方向，即在大尺寸襯底上進行外延生長，這種方法可以有效減少芯片的邊緣損失，提高良率，同時可以利用現有的集成電路制造產線進行后段集成，有助于大幅降低成本。

中微公司開發的用于Mini-LED生產的MOCVD多片機設備Prismo UniMax, 采用了PVD AlN與低溫氮化鎵復合緩沖層，成功實現了高晶體質量的GaN薄膜外延。同時，得益于Prismo UniMax設備創新的局部精細調溫能力以及外延工藝復合緩沖層的翹曲控制，我們在8x8''藍寶石襯底上實現了藍光LED片內主波長均值464.8nm，片內波長均勻性（1σ）達到1.31nm。此外，中微公司還在單機片機MOCVD設備上采用了8''硅襯底進行LED生長。通過引入AlN/AlGaN緩沖層，并借助于機臺實時原位翹曲監測系統，我們對MQW生長時的晶片應力進行了精準調控，成功實現了高波長均勻性的8''硅基藍光LED，其片內波長均勻性（1σ）低至0.98nm。同時，中微公司單機片機MOCVD設備通過獨特的腔體結構設計與流場控制，使得8''硅基藍光LED的表面顆粒性能也得到了很好的控制，尺寸大于0.25um的顆粒密度僅有0.35顆/cm2。

基于中微公司Prismo系列MOCVD平臺，我們成功進行了8''藍寶石襯底和硅襯底上的藍光LED生長，實現了優良的GaN材料質量、LED波長均勻性以及低的顆粒密度，為大尺寸外延Mini/Micro-LED的進一步應用夯實了基礎。

攀登勇者，志在巔峰。中微公司瞄準世界科技前沿，緊跟行業發展趨勢，堅持“四個十大”的企業文化，持續推進三維發展戰略，與產業鏈上下游企業緊密合作，加速科技創新，共同推動第三代半導體產業的蓬勃發展。

審核編輯：彭菁