MOS 管的開啟與關(guān)閉

要研究這個自舉的由來，我們還是先看一下 MOS 的開啟與關(guān)閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓撲中的開關(guān)情況了。

上圖中展示的 Bcuk 電路中選用的是 PMOS 來作為開關(guān)管進行斬波控制，因此，我們知道只需要在 Q1 的 Vgs 施加負電壓就可以順利打開 MOS
管 Q1。

但是，從MOS 管的生產(chǎn)工藝上我們了解到，PMOS 的導通電流往往做不到很大，相同成本下，NMOS 的導通電流可以做到更大，也就是 Rdson可以做到相對較低。因此Buck 電路中會將開關(guān)管從 PMOS 更換為 NMOS，如下圖所示。

那么問題來了，當我們把 Bcuk 電路中的 PMOS 換成 NMOS 之后，我們?nèi)绾卧?MOS 管 Q1 上給出一個高電平呢？系統(tǒng)最高電壓是40V，從上圖看，我們需要在 MOS 的柵極給出 45V 以上的電壓才能使得 Q1 完全導通。

因此，在高邊 MOS 使用 NMOS 的 DC-DC 芯片設(shè)計中，就需要一個電路來進行自舉，也就是產(chǎn)生一個高于系統(tǒng)輸入電壓的電壓來打開高邊的NMOS。又因為電容的體積問題，很難集成在 IC 內(nèi)部，因此絕大部分的 DC-DC 芯片要求使用者在外面放置這個自舉電容。