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美國(guó)政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片

今日半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:星辰工業(yè)電子簡(jiǎn)訊 ? 2023-11-24 16:04 ? 次閱讀
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全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商GlobalFoundries已從美國(guó)政府獲得3500萬(wàn)美元的聯(lián)邦資金,以加速GF位于佛蒙特州Essex Junction的工廠(chǎng)在硅半導(dǎo)體上制造差異化氮化鎵(GaN)。這筆資金使GF更接近于GaN芯片的大規(guī)模生產(chǎn),這些芯片在處理高電壓和高溫的能力方面是獨(dú)一無(wú)二的。這些芯片旨在為基礎(chǔ)設(shè)施和手機(jī)、汽車(chē)和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)IoT)、電網(wǎng)和其他關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的 5G 和 6G 蜂窩通信提供改變游戲規(guī)則的性能和效率。

隨著國(guó)防部Trusted Access Program Office(TAPO)授予的35萬(wàn)美元新資金,GF計(jì)劃購(gòu)買(mǎi)額外的工具,以擴(kuò)大開(kāi)發(fā)和原型設(shè)計(jì)能力,更接近大規(guī)模的200毫米硅基氮化鎵半導(dǎo)體制造。作為投資的一部分,格芯計(jì)劃實(shí)施新的能力,以減少格芯及其客戶(hù)對(duì)鎵供應(yīng)鏈限制的影響,同時(shí)提高美國(guó)制造的氮化鎵芯片的開(kāi)發(fā)速度、供應(yīng)保證和競(jìng)爭(zhēng)力。

這筆資金建立在與美國(guó)政府多年的合作之上--包括2020-2022年的400萬(wàn)美元支持--利用格芯佛蒙特州團(tuán)隊(duì)的才能和他們的200毫米半導(dǎo)體制造經(jīng)驗(yàn),并將其應(yīng)用于硅基氮化鎵制造。200mm是最先進(jìn)的 GaN 芯片技術(shù)

“佛蒙特州是半導(dǎo)體創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者。這筆聯(lián)邦資金是可喜的消息,將鞏固我們州作為制造下一代芯片前沿的領(lǐng)導(dǎo)者的地位,“參議員彼得韋爾奇說(shuō):“至關(guān)重要的是,我們支持佛蒙特州和美國(guó)對(duì)這個(gè)行業(yè)的投資——無(wú)論是為了我們當(dāng)?shù)氐慕?jīng)濟(jì)增長(zhǎng),還是為了我們的國(guó)家安全。我期待繼續(xù)在參議院為我們國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體和芯片制造商而戰(zhàn)。”

“這項(xiàng)戰(zhàn)略投資繼續(xù)加強(qiáng)我們國(guó)內(nèi)關(guān)鍵軍民兩用商業(yè)技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng),確保它們隨時(shí)可用并安全地供國(guó)防部使用。我們正在與主要合作伙伴合作,積極塑造我們國(guó)防系統(tǒng)的未來(lái),“負(fù)責(zé)維持的助理國(guó)防部長(zhǎng)Christopher J. Lowman說(shuō)。

GF總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield博士表示:“硅基氮化鎵是新興市場(chǎng)高性能射頻高壓功率開(kāi)關(guān)和控制應(yīng)用的理想技術(shù),對(duì)6G無(wú)線(xiàn)通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動(dòng)汽車(chē)非常重要。GF與美國(guó)政府有著長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系,這筆資金對(duì)于使硅芯片上的GaN更接近批量生產(chǎn)至關(guān)重要。這些芯片將使我們的客戶(hù)能夠?qū)崿F(xiàn)大膽的新設(shè)計(jì),從而突破我們每天所依賴(lài)的關(guān)鍵技術(shù)的能效和性能極限。”

GF位于佛蒙特州伯靈頓附近Essex Junction的工廠(chǎng)是美國(guó)最早的主要半導(dǎo)體制造基地之一。如今,約有1,800名GF員工在現(xiàn)場(chǎng)工作。這些GF制造的芯片建立在格芯的差異化技術(shù)之上,被用于世界各地的智能手機(jī)、汽車(chē)和通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。該工廠(chǎng)是DMEA認(rèn)證的可信晶圓代工廠(chǎng),與美國(guó)國(guó)防部合作生產(chǎn)安全芯片,用于美國(guó)一些最敏感的航空航天和國(guó)防系統(tǒng)。

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原文標(biāo)題:美國(guó)政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片

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