在推導MOS的IV特性時，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。

對于IGBT中的MOS結構而言，其電阻不僅包括溝道電阻，還包括N-base區域的體電阻。

回顧表達式如下，

MOS正常工作狀態下， ，可以忽略上式右邊第二項，于是溝道部分的電阻可表達為，

假設如圖所示，溝槽之間的MESA寬度為，溝槽的寬度為，那么對于周期性排布的MOS結構來說，其方阻（電阻乘以面積，即）為：

對于N-base區域的體電阻計算，可以做一個簡化的推導，簡化條件為：

1.電子從MOS溝道注入后，積累在溝槽柵氧的外側；

2.電子到達溝槽底部后再向下擴散；

3.電子在N-base區域以45°角向背面擴散；

4.擴散路徑中各處電子濃度、遷移率相同，即N-base中具有相同的電阻率。

這里對這幾個簡化條件的合理性做一個說明：

1.因為MOS工作過程中，柵極持續施加正電壓，因此靠近柵氧的半導體能帶被電子占有的概率更高，所以從源極注入的電子更傾向于在柵氧表面積累；

2.溝道底部距離溝槽底部之間的區域相較整個N-base區域而言，電阻占比很小，計算中可以忽略；

3.穩態工作下，器件內部處于電中性狀態，因此內部電場基本可以忽略，電流由擴散電流主導；

4.擴散運動的絕大部分電子分布在45°角的范圍內。

根據電阻的表達式：，其中L為電路路徑方向的長度，S為電流路徑的截面積。顯然，可以將體電阻劃分為A和B兩個區域，A區域為一個等腰梯形，B區域為一個長方形。

A區域的電阻對梯形積分即可計算得到，

B區域的電阻即長方形的面積，

所以，N-base總電阻即將相加而得，

與溝道電阻的方阻計算相似，將乘以面積即可得到N-base的方阻，并將乘積整理成，

將溝道電阻與N-base電阻相加，即得到MOS的總電阻Rds(on)方阻，

至此，我們就基本完成了對IGBT中MOS結構的靜態工作機理分析。

舉例，對于一個MOS，其相關參數設計如下，mesa寬度為4，溝槽寬度為1.5溝槽深度為3，柵氧厚度為100，溝道內的電子遷移率，N-base內的電子遷移率，假設在柵極施加電壓為10V的條件下，其N-base內的電子濃度為1e16 計算芯片厚度從10增加到100，溝道電阻在整體電阻中的占比。