閂鎖效應，latch up，是個非常重要的問題。現在的芯片設計都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。

啥是所謂的latch up呢？一句話總結起來很簡單：CMOS中形成了兩個BJT，基極和集電極接在了一起，形成正反饋回路，電流大到一定程度可能會使芯片失效甚至燒壞芯片。這兩個BJT其實就是一個npnp的結構，pmos的源/漏、n阱、nmos的p襯底構成一個pnp的BJT，而pmos的n阱、nmos的p襯底、nmos的源漏構成一個npn的BJT。

這兩個BJT共用了nmos的p substrate、pmos的n well，其等效電路圖相當于這兩個BJT的base和collector接在一起了。我在網上隨便找了個圖大家可以參考，圖中的各種電阻啥的可以忽略，就看三極管怎么連的就行。

重點來了，假設現在有一個擾動，使得pmos的n well電勢小于Vdd，其電勢差大于PNP的開啟電壓，發射極正偏，PNP就工作在放大狀態了，集電極出來的放大的電流將是基極電流的一個倍數，而這個電流也相當于NPN基極電流，此時NPN也會在放大區，NPN放大出來的電流又是PNP的基極電流。這就形成了一個正反饋的回路，你放大我，我放大你，只要這兩個放大系數之積大于1，那么這里的電流就會越來越大，直至爆炸。

開個玩笑，爆炸應該是不會爆炸的，但是芯片停止工作是一定的。這個時候就只能把芯片斷電，然后重新開啟才行了——前提是芯片電路沒有被燒壞。想想如果一個芯片隔一會必須斷電一次，那誰受得了，所以這個latch up一定要消除才行。我就講一講目前我所能理解的集中消除latch up的方法。

第一，從源頭出發，既然latch up的發生來自于擾動，那我們就盡量消除這個擾動對我們cell的影響。我這里所謂的擾動，基本都是來自于靜電，所以越靠近IO的cell越要注意latch up的問題。一般來說，越靠近IO的cell所要遵循的LUP rule越嚴格。一種方法是加guard ring，可以減小噪聲和靜電的影響。這也是我目前唯一知道的方法哈哈。

第二，可以在BJT的放大系數上做文章。只要能保證兩個BJT的beta之積小于1，就能有效消除latch up。一種方法是盡量讓nmos和pmos隔的遠一些，這個具體原理我還不是很清楚，需要非常深入的器件知識才行。

第三，盡量保證BJT基極與發射極電勢相差不大，也就是不讓BJT工作在放大區。一種方法是把n well接Vdd，p substrate接Vss。注意，這里可能就有疑惑了，我在上學的時候學的標準的CMOS本來就是n well接Vdd，p substrate接Vss的呀。實際上在老的工藝貌似確實是是這樣，每一個cell都是這么接，但是這樣會有點浪費面積。現在的工藝cell的layout應該不會畫這部分了，而是需要我們后端擺放cell時候加進來tap cell，其作用就是接n well和p substrate到Vss和Vdd上。因為std cell一個一個排在一起的時候，它們的n well和p substrate是公用的，所以不需要每個cell都連，只需要隔一段距離擺一個tap cell就行了。這個方法可能也是和我們后端關系最大的了，前兩種多是layout要考慮的吧。