如果我們嘗試將pn結焊接到np結上，我們會得到如圖1所示的器件，其中字母E、B和C分別表示發射極、基極和集電極。這是對p、n、p三個區域的命名。

這樣我們就創建了一個PNP型晶體管。

圖1：PNP型晶體管。每個區域的大小表示

相反，如果我們將np結焊接到pn結上，我們就會得到如圖2所示的器件，其中E、B和C在摻雜方面的作用顛倒了。結果就是一個NPN型晶體管。在這兩種配置中，器件均由JE和JC結組成。

圖2：NPN型晶體管

晶體管也被稱為半導體三極管，因為它標志著真空管的終結，就像結型二極管取代了真空二極管一樣。另一個常見名稱則是BJT，即雙極結型晶體管的縮寫。雙極屬性是指半導體中的導電性（由電子和空穴決定）。

在圖3中，我們可以看到PNP晶體管的電路符號，其呈現方式主要是為了突出與圖1中圖表的關系。同樣，圖4顯示了NPN晶體管的符號。

圖3：PNP晶體管的電路符號

圖4：NPN晶體管的電路符號

開路晶體管

讓我們以PNP晶體管為例（結果也可以馬上推廣到NPN晶體管）。在開路條件下，我們預期會出現與單結類似的行為，即存在接觸電勢（請參閱之前的教程），這實際上是一個勢壘，其目的是阻止空穴從發射極向基極擴散。如果沒有這樣的勢壘，空穴就會無限地向基極擴散，這顯然不符合物理情況，因為我們正處于開路條件下。如果V0是JE結處勢壘的高度，那么相似的論證讓我們可以說，JC結上存在勢壘V‘。假設各個區域p，n，p具有相同的雜質濃度，我們有V0=V′。

熱平衡的實現將通過單個區域的少數載流子濃度的恒定值來表征：

我們采用了以下慣例：主字母表示載流子（電子、空穴），第一個下標表示其所屬區域。例如，符號np告訴我們正在考慮p區域中的電子（因此是少數電荷）。最后，第三個下標0表示系統在溫度T0（不一定是室溫）下處于熱力學平衡狀態。

需要注意的是，我們忽略了耗盡層（在之前的教程中討論過），因為與雙結層相比，它的大小可以忽略不計。

在p型區域中，濃度n相同，因為我們假設這些區域是相同的。如果在笛卡爾坐標系中，我們在橫坐標上標出構成PNP晶體管的雙結的線性尺寸，在縱坐標上標出單一區域中少數載流子的濃度（方程（1）），那么在熱力學和開路平衡狀態下我們將得到如圖5所示的趨勢，其中我們假設pn0》np0。

還應該指出的是，少數載流子濃度和開路條件下嚴格不變的趨勢是平均操作的結果，因為這些量圍繞著平均值（即測量值）波動。

圖5：開路NPN晶體管中少數載流子濃度的趨勢

晶體管偏置

由于存在兩個結和三個端子，因此極化組合比二極管更多。像前面一樣，讓我們參考PNP晶體管，直接反向偏置JE和JC。在圖6中，顯示了這種極化配置，而圖7則是相應的電路圖。準確地說，我們有一個電壓發生器，其電壓為VEB，而VCC表示連接到JC的電池產生的電壓。VCB用來表示集電極和基極之間的電位差。

圖6：JE結正向偏置，而JC結反向偏置

圖7：JE結正向偏置，而JC反向偏置

JE的正向偏置降低了勢壘（如上一節所述），這導致空穴從發射極向基極擴散，電子從基極向發射極擴散。因此，在JE的p和n兩個區域中，少數載流子的濃度出現了宏觀增長。

讓我們把注意力集中在基極上廣泛存在的空穴上。在這里，我們在JC附近具有以下電荷配置：如果我們測量C和B之間的電勢差，我們會發現如圖7所示的值，這意味著空穴被集電極C“收集”。然而，JC是反向偏置的，這決定了基極空穴的指數衰減，因此在JC處，這些載流子的濃度在統計上為零。反過來，JC的反向偏壓會導致JC的p區電子濃度降低，這將在JC上產生指數衰減。如前所述，JE p區中的電子濃度會增加，然后由于結中大家都熟知的少數載流子擴散機制而呈指數衰減。圖8總結了這些結論。

圖8：閉路NPN晶體管中少數載流子濃度的變化趨勢