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國內(nèi)或增6個SiC項目,最高30萬片!

行家說三代半 ? 來源:行家說三代半 ? 2023-12-19 12:40 ? 次閱讀
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近日,國內(nèi)又有多個碳化硅項目簽約,詳情請往下看:

誠譜檢測:

簽訂首個SiC生產(chǎn)項目

12月7日,據(jù)“玉林統(tǒng)戰(zhàn)”官微消息,廣西玉林博白縣舉行了玉商回歸活動周,當天集中簽約18個項目,總投資額約10億元,其中包括一個碳化硅單晶項目

據(jù)誠譜檢測公司透露,他們與玉林市博白縣政府正式簽訂了碳化硅及單晶硅生產(chǎn)工藝研發(fā)項目

公開信息顯示,誠譜檢測成立于2020年6月,注冊資本為1000萬元,主要從事地質(zhì)類、礦床與礦產(chǎn)類、石油地質(zhì)類礦物組分、成分與結(jié)構(gòu)分析與檢測服務(wù)。

截至目前,這是該公司首次涉足及投入SiC生產(chǎn)研發(fā)項目。

捷芯半導體

新建2萬片6英寸SiC外延片項目

12月5日,據(jù)慈溪市人民政府網(wǎng)消息,捷芯半導體“年產(chǎn)2萬片6英寸碳化硅外延片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目開始啟動,并入選寧波資本引才工程。

企查查顯示,寧波捷芯半導體材料有限公司成立于2021年03月,注冊資本為2000萬,主要從事碳化硅晶體生長工藝的研發(fā)生產(chǎn)。

卓遠半導體:

新建碳化硅長晶項目,獲得2400萬元投資

12月5日,據(jù)“中化投(江蘇)產(chǎn)投”官微信息,卓遠半導體中化投(江蘇)產(chǎn)投、亭湖區(qū)投促中心進行會見交流,未來三方將加強合作共建,確保碳化硅長晶產(chǎn)業(yè)化項目在亭湖區(qū)產(chǎn)業(yè)園落地。

據(jù)官網(wǎng)資料,卓遠半導體此前新建研發(fā)及產(chǎn)業(yè)基地落地如皋高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),占地約46畝,總投入2.5億元

公開信息顯示,卓遠半導體成立于2018年,注冊資本為2700萬元,從事于寬禁帶半導體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造,不斷推出SiC晶體工藝及解決方案,目前SiC產(chǎn)品覆蓋整條產(chǎn)業(yè)鏈:長晶設(shè)備、晶錠、襯底片、外延、功率器件/模塊。

值得注意的是,12月4日,卓遠半導體宣布獲得2400萬元的戰(zhàn)略投資,投資方為凱得粵豪

據(jù)官微消息,未來3至5年,卓遠半導體將持續(xù)切入碳化硅分立器件、碳化硅IGBT模塊等后道工序業(yè)務(wù),打造全產(chǎn)業(yè)鏈模式,此外,該公司現(xiàn)已明確上市進度安排,正在積極籌備中。

科友半導體:

籌建30萬片SiC項目

12月1日,據(jù)哈爾濱新區(qū)報消息,科友半導體技術(shù)總監(jiān)張勝濤獲得2023年“龍江工匠”榮譽稱號。

此外,黑龍江日報報道稱,2023年4月,科友半導體8英寸碳化硅中試線正式貫通每7天即可生長出一塊8英寸15~20毫米厚的碳化硅晶體。此外,該公司第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)二期工程正在籌劃中,建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底30萬片

力冠微電子:

SiC設(shè)備新廠區(qū)、新投資落地

11月29日,據(jù)力冠微電子官網(wǎng)透露,力冠微電子新產(chǎn)區(qū)已經(jīng)開業(yè),此外,該公司與山東新動能基金、江蘇毅達資本進行了資本簽約,具體金額未透露。

力冠微電子相關(guān)負責人表示,新產(chǎn)區(qū)及新投資的加入,一方面能幫助公司繼續(xù)以高水準研發(fā)半導體設(shè)備產(chǎn)品,并加快項目建設(shè)進度,推進成果轉(zhuǎn)化,另一方面能提供資金保障,吸引科研人才聚集,促進當?shù)匕雽w產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更高質(zhì)量發(fā)展。

官網(wǎng)資料顯示,力冠微電子成立于2013年,專注于半導體工藝設(shè)備的研、產(chǎn)、銷一體化及技術(shù)服務(wù),第三代半導體設(shè)備包括SiC籽晶粘接/高溫氧化設(shè)/高溫退火設(shè)備、MPCVD設(shè)備、HVPE單晶生長設(shè)備、PVT單晶生長設(shè)備等,被廣泛用于集成電路、功率半導體、5G芯片等新型電子器件制造領(lǐng)域。

易成新材、中宜創(chuàng)芯:

SiC材料中試基地通過驗收

12月13日,據(jù)“易成新材”官微消息,易成新材中宜創(chuàng)芯公司聯(lián)合申報的平頂山市碳化硅材料中試基地已順利通過現(xiàn)場驗收。

官方透露,該基地實驗室總面積為8000平方米,擁有碳化硅粉體相關(guān)中試設(shè)備、分析檢測設(shè)備70臺/套,設(shè)備原值9000余萬元。現(xiàn)已開展陶瓷精粉碳化硅、磨料級粉體碳化硅、電子級碳化硅粉體、電子級碳化硅晶體材料等產(chǎn)品中試服務(wù)工作。

未來,該基地將加大開展對外中試服務(wù)力度,打造產(chǎn)學研一體化平臺,建立高端人才引進、培養(yǎng)、使用機制,致力于培育孵化碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)上下游科技型中小企業(yè),推動科技成果向現(xiàn)實生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化,助推當?shù)靥蓟璋雽w產(chǎn)業(yè)向全球產(chǎn)業(yè)鏈中高端邁進。

審核編輯:黃飛

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原文標題:或增6個SiC項目,最高30萬片!

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