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三菱電機(jī)提供SiC MOSFET裸片樣品

三菱電機(jī)半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:三菱電機(jī)半導(dǎo)體 ? 2024-11-14 14:43 ? 次閱讀

近日,三菱電機(jī)集團(tuán)宣布,將于11月14日開(kāi)始提供用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)、插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)和其他電動(dòng)汽車(chē)(xEV)電驅(qū)逆變器的碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)裸片樣品。這是三菱電機(jī)首款標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體芯片,將助力公司應(yīng)對(duì)xEV逆變器的多樣化需求,并推動(dòng)xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù),有助于提升逆變器性能、延長(zhǎng)續(xù)航里程和提高xEV的能源效率,為脫碳目標(biāo)做出貢獻(xiàn)。

功率半導(dǎo)體,作為促進(jìn)全球脫碳的關(guān)鍵器件,能夠高效轉(zhuǎn)換電力,需求日益增多。特別是在汽車(chē)行業(yè),車(chē)輛電動(dòng)化能減少溫室氣體排放,推動(dòng)了用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器和其他功率轉(zhuǎn)換設(shè)備的多樣化功率半導(dǎo)體的需求。其中,碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體因其能顯著降低功率損耗而備受期待。三菱電機(jī)于1997年開(kāi)始量產(chǎn)用于xEV的功率半導(dǎo)體模塊,為提高包括熱循環(huán)耐性在內(nèi)的可靠性和解決逆變器小型化問(wèn)題做出了貢獻(xiàn),并已應(yīng)用于各種電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(HEV)。2024年3月,該公司開(kāi)始供應(yīng)J3系列xEV功率半導(dǎo)體樣品,該系列產(chǎn)品采用最新壓注模(T-PM)技術(shù)實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì),在汽車(chē)市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。

三菱電機(jī)的新型功率半導(dǎo)體芯片是一種特有的溝槽柵*SiC-MOSFET,與傳統(tǒng)的平面柵**SiC-MOSFET相比,其功率損耗降低了約50%。特有的制造技術(shù),如抑制功率損耗和導(dǎo)通電阻波動(dòng)的柵極氧化膜工藝,讓新款芯片更加耐久穩(wěn)定,有助于提高逆變器的耐用性和xEV性能。

未來(lái),三菱電機(jī)將繼續(xù)致力于提供高品質(zhì)、低功率損耗的SiC-MOSFET裸片,讓高性能xEV更加普及,從而為構(gòu)建一個(gè)更加低碳的世界做出貢獻(xiàn)。

產(chǎn) 品 特 點(diǎn)

特有的溝槽柵SiC-MOSFET延長(zhǎng)了xEV的續(xù)航里程并降低了電力成本

采用了三菱電機(jī)在制造Si功率半導(dǎo)體芯片過(guò)程中積累的先進(jìn)小型化技術(shù),與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比,導(dǎo)通電阻更低。

采用傾斜離子注入替代傳統(tǒng)的垂直離子注入,降低了開(kāi)關(guān)損耗。

與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比,功率損耗降低了約50%,從而提高了逆變器性能,延長(zhǎng)了xEV的續(xù)航里程,并降低了電力成本。

特有制造技術(shù)助力提升xEV性能

三菱電機(jī)采用獨(dú)特的制造技術(shù),生產(chǎn)溝槽柵SiC-MOSFET,這項(xiàng)技術(shù)是三菱電機(jī)在20多年平面柵SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的研究和制造中總結(jié)出來(lái)的。如三菱電機(jī)特有的柵極氧化膜工藝,抑制了由重復(fù)開(kāi)關(guān)引起的功率損耗和導(dǎo)通電阻波動(dòng),讓逆變器更加耐用,xEV性能更加穩(wěn)定。

主要規(guī)格

型號(hào) WF0009Q-1200AA WF0008Q-0750AA
應(yīng)用 xEV
額定電壓 1200V 750V
導(dǎo)通電阻 9.0mΩ 7.8mΩ
正面電極 兼容焊料鍵合
背面電極 兼容焊料鍵合和銀燒結(jié)鍵合
樣品價(jià)格 依據(jù)報(bào)價(jià)
樣品開(kāi)始提供日期 2024年11月14日
環(huán)保意識(shí) 本產(chǎn)品符合RoHS***指令2011/65/EU和(EU)2015/863。

*溝槽柵:在晶圓表面挖出溝槽(trench),并將柵極嵌入其中

** 平面柵:柵極放置在晶圓表面

***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

關(guān)于三菱電機(jī)

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財(cái)年,集團(tuán)營(yíng)收52579億日元(約合美元348億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù),并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng),三菱電機(jī)從事開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有68年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車(chē)、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

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原文標(biāo)題:【新品】三菱電機(jī)開(kāi)始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品

文章出處:【微信號(hào):三菱電機(jī)半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):三菱電機(jī)半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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