磨削和研磨等磨料處理是生產半導體芯片的必要方式，然而研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對生產芯片來說是十分重要的。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇于廈門召開。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，北京國瑞升科技集團股份有限公司 高級工程師 苑亞斐 做了“碳化硅襯底粗研磨和精研磨工藝及耗材技術”的主題報告并就公司研發的碳化硅襯底研磨拋光新工藝、新產品進行探討交流。

第三代半導體材料，以碳化硅和氮化鎵為代表，針對這兩種材料的研磨和拋光，國瑞升可提供全套的產品和整體的解決方案，可向襯底客戶提供化合物半導體粗磨液、精磨液、粗拋液和CMP拋光液；可向后道外延芯片背面減薄客戶提供減薄耗材產品，以及匹配的粗拋墊和精拋墊。

報告指出，新工藝優化路線主要是提高效率、減少工序、保證表面效果。碳化硅襯底粗拋和精拋涉有的主要產品有：粗拋涉及氧化鋁拋光液、金剛石拋光液、納米金剛石拋光液，精拋涉及雙組份拋光液、高效拋光液。SiC研磨拋光用相關耗材，涉及雙面研磨用懸浮液，金剛石研磨液(單晶、類多晶、多晶），氧化鋁粗拋液(酸性、堿性），雙面研磨用懸浮劑，雙組份精拋液，高效精拋液，CMP拋光液，固態蠟等。

審核編輯：劉清