12月19日消息，近日韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）Keon Jae Lee教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)在《自然》（Nature）雜志上發(fā)表了一篇題為“應(yīng)用微真空力技術(shù)進(jìn)行通用選擇性轉(zhuǎn)移印刷”的文章，研究團(tuán)隊(duì)展示了通過選擇性調(diào)節(jié)微真空力方法，實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移微型無機(jī)半導(dǎo)體芯片。

據(jù)悉，Micro LED是下一代顯示器的光源，采用尺寸小于100 μm的無機(jī)LED芯片打造而成，與LCD、OLED和QD等傳統(tǒng)顯示器相比，Micro LED因其卓越的電/光學(xué)特性、可靠性和穩(wěn)定性而引起了廣泛關(guān)注。但由于Micro LED尺寸較小等緣故，面臨著巨量轉(zhuǎn)移等一系列生產(chǎn)工藝問題。

為能夠解決Micro LED芯片轉(zhuǎn)移效率問題，Keon Jae Lee教授的研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了微真空輔助選擇性轉(zhuǎn)移印刷（μVAST）技術(shù)，通過調(diào)節(jié)微真空吸力來轉(zhuǎn)移大量的Micro LED芯片。

微真空輔助選擇性轉(zhuǎn)移印刷（μVAST）技術(shù)（圖片來源：Nature）

據(jù)介紹，μVAST這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)依靠激光誘導(dǎo)蝕刻（LIE）方法實(shí)現(xiàn)，這種蝕刻方法可在玻璃基板上以高達(dá)每秒7000個(gè)孔的制造速度形成尺寸為20微米并具有高長(zhǎng)寬比的微孔陣列。之后LIE方法打造的鉆孔玻璃將與真空通道連接，通過控制所需孔陣列處的微真空力，以選擇性地拾取和放置Micro LED。

與傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移方法相比，微真空輔助轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更高的粘附可切換性，能夠?qū)⒏鞣N不同材料、尺寸、形狀和厚度的微型半導(dǎo)體高效轉(zhuǎn)移組裝到任意基板上。

Keon Jae Lee教授表示，微真空輔助轉(zhuǎn)移技術(shù)為大規(guī)模、選擇性集成微型高性能無機(jī)半導(dǎo)體提供了一種有意思的工具。

Keon Jae Lee教授還透露，目前，團(tuán)隊(duì)正在研究使用噴射器系統(tǒng)（ejector system）對(duì)商用Micro LED芯片進(jìn)行轉(zhuǎn)移打印，實(shí)現(xiàn)Micro LED大尺寸電視、柔性設(shè)備和可穿戴光療貼片等產(chǎn)品的制造。

值得注意的是，2023年，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院的多個(gè)研究團(tuán)隊(duì)在Micro LED領(lǐng)域有多個(gè)新研究成果發(fā)布。

例如，3月，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院物理系 Yong-Hoon Cho 教授的研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一項(xiàng)制造超高分辨率LED顯示器的核心技術(shù)，通過聚焦離子束（focused ion beams）實(shí)現(xiàn)了0.5微米的LED像素，小于頭發(fā)平均厚度的 1/100；

同月，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院電氣電子工程系Sang Hyeon Kim教授的研究團(tuán)隊(duì)構(gòu)建了一種對(duì)側(cè)壁缺陷不敏感的外延結(jié)構(gòu)，以解決Micro LED器件小型化導(dǎo)致效率降低的問題。

文章來源：LEDinside

審核編輯：湯梓紅