氮化鎵開關管是一種新型的半導體器件，適用于高頻高壓控制信號的開關應用。它由四個電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，Drain）和襯底（B，Body）。

首先，我們來了解一下氮化鎵開關管的基本結構。它由氮化鎵（GaN）和鋁鎵氮化物（AlGaN）等半導體材料組成，這些材料具有優異的電特性，能夠實現高電壓、高頻率和高功率的開關操作。而四個電極則起到了不同的作用。

首先是柵極（G）：柵極是氮化鎵開關管的控制電極，通過施加電壓控制電流的流動。當柵極電壓高于閾值電壓時，可以形成一個導電通道，使得電流可以流動。而當柵極電壓低于閾值電壓時，導電通道關閉，電流無法流動。

接下來是源極（S）和漏極（D）：源極和漏極是電流的輸入和輸出端，也可以理解為開關管的控制器和執行器。當柵極電壓高于閾值電壓時，源極和漏極之間形成了一個導電路徑，電流可以從源極流到漏極。而當柵極電壓低于閾值電壓時，導電路徑斷開，電流無法流動。

最后是襯底（B）：襯底是氮化鎵開關管的基底，起到支撐和保護其他電極的作用。同時，襯底也具有一定的電性能，它可以通過電極與其他部件連接，從而實現工作電路的閉合。襯底一般與源極或漏極相連，以提供適當的偏壓。

總結起來，四個電極分別是柵極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）和襯底（Body）。其中，柵極用于控制電流的流動，源極和漏極用于電流的輸入和輸出，而襯底則起到支撐和保護其他電極的作用。