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傳感新品
【濟南大學(xué):研發(fā)雙重放大電化學(xué)發(fā)光免疫分析傳感器檢測CA19-9!】
近日, 濟南大學(xué)魏琴和范大偉 以三元化合物CdSSe納米粒子為發(fā)光體,構(gòu)建了一種超靈敏檢測CA19-9的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器。免疫傳感器采用Cu 2 S和金摻雜的三氧化二銦(Au-In 2 O 3 )納米立方體作為核心作用加速器,實現(xiàn)雙重擴增策略。所構(gòu)建的免疫傳感器具有較寬的線性范圍(100 μU mL -1 至100 μU mL -1 )和80 μU mL -1 的低檢測限,表明其在CA19-9的靈敏檢測中具有較高的潛力和實用價值。
研究要點
要點1. 作者使用模板法制備了In 2 O 3 納米立方體作為ECL陰極共反應(yīng)劑促進劑。在制備過程中,以單寧酸為模板,引入AuCl 4 - ,成功合成了Au-In 2 O 3 材料。在納米立方體表面摻雜Au納米粒子消除了對涉及用Au納米粒子固定抗體的傳統(tǒng)步驟的需要,從而產(chǎn)生了更堅固的抗體附著和增強的免疫傳感器的靈敏度。
要點2. 作者選擇具有大表面積的六邊形楓葉形Cu 2 S作為模板,使用水熱法在其表面原位生長三元金屬化合物CdSSe納米晶體。Cu 2 S的存在不僅抑制了CdSSe納米顆粒的聚集以降低其表面能,而且作為ECL陰極共反應(yīng)促進劑,促進了SO 4 ? - 的產(chǎn)生,增強CdSSe的ECL信號。
要點3. 所構(gòu)建的免疫傳感器具有較寬的線性范圍(100 μU mL -1 至100 μU mL -1 )和80 μU mL -1 的低檢測限,表明其在CA19-9的靈敏檢測中具有較高的潛力和實用價值。
研究圖文
圖1.(A)Cu 2 S/CdSSe的原位合成和(B)ECL免疫傳感器的構(gòu)建過程。
圖2.(A)CdSSe的XRD。(B)Cu 2 S、CdSSe和Cu 2 S/CdSSe的XRD。(C)XPS測量光譜、(D)S 2p、(E)Se 3d和(F)Cd 3d XPS。
圖3. Cu 2 S(A)、CdSSe NPs(D)和Au-In 2 O 3 (F)的SEM。(B,C)Cu 2 S/CdSSe的TEM。(E)Cu 2 S/CdSSe的HRTEM。
圖4.(A)Cu 2 S修飾的電極在5.0 mmol L -1 的[Fe(CN) 6 ] 4-/3- 中,在掃描速率為25-225 mV s -1 的范圍內(nèi)的CV和線性關(guān)系。(B)Cu 2 S和Cu 2 S修飾的電極在40 mmol L -1 PBS中的CV。(C)不同條件下的ECL強度:(a)GCE/Cu 2 S/CdSSe/Au-In 2 O 3 ,(b)GCE/Cu 2 S/CdSSe,(C)GCE/CdSSe,(d)GCE/Cu 2 S和(e)GCE在含有40 mM K 2 S 2 O 8 的PBS(pH 7.4)中和(f)GCE/Cu 2 S/CdSSe和(g) GCE/CdSSe在不含K 2 S 2 O 8 的PBS(pH 7.4)中。(D)ECL系統(tǒng)詳細發(fā)光過程中的電子轉(zhuǎn)移示意圖。
圖5.(A)所構(gòu)建的用于CA19-9檢測的免疫傳感器在寬濃度范圍(0.0001-100 U mL -1 )下的相應(yīng)ECL強度-時間曲線和(B)校準曲線。(C)免疫傳感器在11次連續(xù)循環(huán)電位掃描下的ECL強度穩(wěn)定性。(D)免疫傳感器的特異性實驗在不同干擾物質(zhì)的存在下進行,包括神經(jīng)元特異性烯醇化酶(NSE)、癌胚抗原(CEA)和Cyfra21-1。(E)七種不同電極的重復(fù)性。(F)連續(xù)儲存7天的免疫傳感器的ECL強度。
文獻詳情
傳感動態(tài)
【共進微和西安電子科大共建"傳感器與汽車電子封測關(guān)鍵技術(shù)聯(lián)合實驗室"正式揭牌】
2024年1月19日,共進微電子和西安電子科技大學(xué)共建的"傳感器與汽車電子封測關(guān)鍵技術(shù)聯(lián)合實驗室"正式揭牌,該實驗室旨在促進封測領(lǐng)域的科研合作,推動封測技術(shù)的創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。同時,西安電子科技大學(xué)博士生導(dǎo)師、封裝系首任主任田文超教授也將擔任共進微電子首席科學(xué)家。
封裝測試在傳感器和汽車電子芯片性能和可靠性方面扮演著至關(guān)重要的角色。聯(lián)合實驗室將在傳感器與汽車電子芯片的相關(guān)結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料研究、應(yīng)力、熱、電磁仿真和可靠性驗證等方面展開合作。此外,聯(lián)合實驗室還將成為為學(xué)生提供實習(xí)和培訓(xùn)機會的平臺,促進人才培養(yǎng)和技術(shù)交流。
共進微電子總經(jīng)理張文燕表示:“共進微電子一直致力于封測技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新,而西安電子科技大學(xué)在封裝領(lǐng)域具有豐富的研究經(jīng)驗和優(yōu)秀的學(xué)術(shù)背景。通過合作,我們期待能夠取得更多突破性的研究成果,并將其應(yīng)用于實際生產(chǎn)中。”
西安電子科技大學(xué)田文超教授也表示:“西安電子科技大學(xué)的封裝專業(yè)是2009年國家首批電子封裝技術(shù)本科專業(yè),同時也是全國唯一的電子封裝類國家級特色專業(yè)。通過與共進微電子建立聯(lián)合實驗室,我們將充分發(fā)揮雙方的優(yōu)勢,推動封裝技術(shù)的創(chuàng)新,促進企業(yè)技術(shù)進步和生產(chǎn)力提升。”
未來,共進微電子將充分利用聯(lián)合實驗室的優(yōu)勢,夯實并增強共進微電子在傳感器與汽車電子芯片的封裝能力,為客戶提供高質(zhì)量的封測一體化服務(wù)!
為服務(wù)大灣區(qū)智能制造升級,聚集傳感器產(chǎn)業(yè)鏈上下游各環(huán)節(jié),這一全新平臺將助推大灣區(qū)智能傳感器產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展。記者今日從松山湖材料實驗室獲悉,首屆大灣區(qū)智能傳感工程技術(shù)研討會暨大灣區(qū)智能傳感器工程中心成立大會,將于本月23至24日在位于東莞松山湖科學(xué)城的松山湖材料實驗室舉行,屆時該領(lǐng)域的國內(nèi)外專家、企業(yè)家將深度探討智能傳感器技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,并進一步加強產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)合作。
智能傳感器是國家數(shù)字經(jīng)濟轉(zhuǎn)型和高質(zhì)量發(fā)展的基礎(chǔ),隨著近年來人工智能、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展,基于新型功能材料、MEMS工藝、半導(dǎo)體和先進封裝等技術(shù)的高精度智能傳感器芯片、模組及系統(tǒng)解決方案的市場需求越來越迫切。而粵港澳大灣區(qū)是我國電子產(chǎn)品制造產(chǎn)業(yè)聚集地,在智能傳感器產(chǎn)業(yè)方面如何實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展?
本次活動得到了東莞市科技局指導(dǎo),由松山湖材料實驗室主辦、大灣區(qū)智能傳感器工程中心承辦。在為期兩天的活動中,除了參觀實驗室展廳、歡迎晚宴、頒證儀式外,大灣區(qū)智能傳感器工程中心將正式揭牌成立。該中心將以松山湖材料實驗室為依托,充分利用東莞和大灣區(qū)成熟的智能裝備產(chǎn)業(yè)條件,補足創(chuàng)新鏈、延長產(chǎn)業(yè)鏈,為我國智能傳感器產(chǎn)業(yè)的國際競爭能力貢獻大灣區(qū)力量。在嘉賓演講和主題對話環(huán)節(jié),來自該領(lǐng)域的國內(nèi)外專家、企業(yè)家將深度探討智能傳感器技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,并進一步加強產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)合作,從而推動大灣區(qū)智能傳感器產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展。
【軍工背景的慣性傳感器研發(fā)商「原極科技」獲數(shù)千萬元A輪融資】
1月22日消息,慣性傳感器研發(fā)商原極(上海)科技有限公司(以下簡稱“原極科技”)日前完成數(shù)千萬元A輪融資,投資方為順融資本,老股東原子創(chuàng)投進一步追加投資。本輪融資資金將用于產(chǎn)品研發(fā)、團隊建設(shè)和新的MEMS IMU標測工廠建設(shè)。
原極科技成立于2019年,主攻陣列式的MEMS( Micro-Electro-Mechanical System,微電子機械系統(tǒng))慣性傳感器及其組合導(dǎo)航系統(tǒng)的軟硬件產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)。原極科技切入慣性組件導(dǎo)航行業(yè),產(chǎn)品應(yīng)用于石油勘測、農(nóng)業(yè)泛自動駕駛、機器人自動化和乘用車自動駕駛等多個領(lǐng)域。
據(jù)傳感器專家網(wǎng)了解,原極科技的創(chuàng)始人兼CEO杭義軍博士,擁有南京航空航天大學(xué)的博士學(xué)位,并曾擔任J16殲擊機首款MEMS航姿參考系統(tǒng)算法工程師。公司的研發(fā)團隊擁有軍工背景,并擁有近30項專利和軟件著作權(quán)。
【美國防部被禁止向中企采購電池】
1月21日報道據(jù)彭博新聞社網(wǎng)站1月20日報道,美國國會已禁止國防部購買中國最大的幾家電池制造商生產(chǎn)的電池,這一規(guī)定將作為2023年12月通過的最新國防授權(quán)法案中的一部分實施。
報道稱,相關(guān)規(guī)定將從2027年10月開始阻止從寧德時代、比亞迪和其他四家中國公司采購電池。
但該規(guī)定并不適用于企業(yè)的商業(yè)采購,福特汽車公司正從寧德時代獲得技術(shù)許可,以便在密歇根州生產(chǎn)電動汽車電池。此外,特斯拉公司也從比亞迪采購部分電池。
報道稱,美國共和黨參議員特德·克魯茲和馬爾科·魯比奧上月致信國防部長奧斯汀,聲稱使用寧德時代的電池會帶來安全風險。
報道指出,世界十大電池供應(yīng)商中,大多數(shù)為中國企業(yè)。最近的數(shù)據(jù)顯示,寧德時代和比亞迪占有的全球市場份額不斷增加。
【圖像傳感器常見參數(shù)解讀】
概述
典型圖像傳感器的核心是CCD單元(Charge-coupled Device,電荷耦合器件)或標準CMOS單元(Complementary Meta-oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導(dǎo)體)。CCD和CMOS傳感器具有類似的特性,它們被廣泛應(yīng)用于商業(yè)攝像機上。不過,現(xiàn)代多數(shù)傳感器均使用CMOS單元,這主要是出于制造方面的考慮。傳感器和光學(xué)器件常常整合在一起用于制造晶片級攝像機,這種攝像機被用在類似于生物學(xué)或顯微鏡學(xué)等領(lǐng)域,整合了光學(xué)器件和顏色過濾器的圖像傳感器的常用排列如下圖所示。圖像傳感器是為滿足不同應(yīng)用的特殊目標而設(shè)計的,它提供了不同級別的靈敏度和質(zhì)量。
感光材料
硅制圖像傳感器應(yīng)用最廣,當然也會使用其他材料,比如在工業(yè)和軍事應(yīng)用中會用鎵(Ga)來覆蓋比硅更長的紅外波長。不同的攝像機,其圖像傳感器的分辨率會有所不同。從單像素光電晶體管攝像機,到普通攝像機上的二維長方形陣列,都有可能用到。普通成像傳感器采用CCD、CMOS、BSI和Foveon方法進行制造。硅制圖像傳感器具有一個非線性的光譜響應(yīng)曲線,這會很好地感知光譜的近紅外部分,但對藍色、紫色和近紫外部分就感知的不好,幾種硅光電二極管的典型光譜響應(yīng)如下圖所示
可以注意到,光電二極管在900納米附近的近紅外范圍內(nèi)具有高的敏感度,而在橫跨400~700nm的可見光范圍內(nèi)具有非線性的敏感度。由于標準的硅響應(yīng)的緣故,從攝像機中去掉IR濾光片可以增加近紅外的靈敏度。當讀入原始數(shù)據(jù),并將該數(shù)據(jù)離散化成數(shù)字像素時,會導(dǎo)致硅光譜響應(yīng)。傳感器制造商在這個區(qū)域做了設(shè)計補償。所以,根據(jù)應(yīng)用標定攝像機系統(tǒng)并設(shè)計傳感器處理方法時,應(yīng)該考慮傳感器的顏色響應(yīng)。
光電二極管
圖像傳感器的關(guān)鍵在于光電二極管的大小。使用小光電二極管的傳感器元件所捕獲的光子數(shù)量沒有使用大的光電二極管多。如果光電二極管尺寸小于可捕獲的可見光波長(如長度為400納米的藍光),那么為了校正圖像顏色,在傳感器設(shè)計中必須克服各種問題。傳感器廠商花費大量精力來設(shè)計優(yōu)化元件大小,以確保所有的顏色能同等成像,基本顏色的波長分配如下圖所示。
注意,基本顏色區(qū)域相互重疊,對所有的顏色而言,綠色是一個很好的單色替代品
結(jié)構(gòu)
下圖顯示了多光譜傳感器的不同結(jié)構(gòu)設(shè)計,包括堆疊(Foveo,左圖)和馬賽克(右圖)方法。在馬賽克方法中,不同的濾波器(濾光片)被裝在每個光電二極管上。堆疊方法依賴于不同顏色(波長)滲透到半導(dǎo)體材料的深度,從而對各自的顏色進行成像,每個光電二極管可適用于所有顏色。
反向照明(Back-side Illuminated,BSI)傳感器結(jié)構(gòu)具有更大的感光區(qū)域,使每個元件光電二極管能夠聚集更多的光子,因而在晶粒上重新布置了傳感器接線。傳感器濾波器的布置也影響到顏色響應(yīng)。例如,下圖顯示了基本顏色(R、G、B)傳感器以及白色傳感器的不同排列,其中白色傳感器(W)有一個非彩色的濾波器。傳感器的濾波器排列考慮到了一定范圍的像素處理,如在傳感器對一個像素信息的處理過程中,會組合在鄰近元件的不同配置中所選取的像素,這些像素信息會優(yōu)化顏色響應(yīng)或空間顏色分辨率。
動態(tài)范圍
圖像傳感器的每個顏色單元能一般能夠提供至少8個比特位,通常是12~14個比特位。光電二極管需要花費空間和時間來聚集光子,所以較小的光電二極管必須經(jīng)過精心設(shè)計,以避免產(chǎn)生一些問題。
噪聲
噪聲可能來自于所用的光學(xué)元件、顏色濾波器、光電二極管、增益和A/D轉(zhuǎn)換器、后期處理過程或者壓縮方法等。傳感器的讀出噪聲也會影響到實際的分辨率,因為每個像素單元從傳感器中讀出再傳到A/D轉(zhuǎn)換器中,從而組成數(shù)字形式的行和列,以便用于像素轉(zhuǎn)換。越好的傳感器會產(chǎn)生越少的噪聲,同時會得到更高效的比特分辨率。
圖像處理
通常在每個成像系統(tǒng)中都有一個專用的圖像處理器,包括一個快速HW傳感器接口、優(yōu)化的超長指令集(Very Long Instruction Word,VLIW)、單指令多數(shù)據(jù)流(Single Instruction Multiple Data,SIMD)指令以及具有固定功能的硬件模塊,這些功能是為了解決大規(guī)模并行像素處理所造成的工作負載。通常,傳感器處理過程透明且自動化,并由成像系統(tǒng)的生產(chǎn)廠商設(shè)置,來自傳感器的所有圖像均以同樣的方式處理。也存在用于提供原始數(shù)據(jù)的其他方式,這些數(shù)據(jù)允許針對應(yīng)用來定制傳感器處理過程,就像數(shù)字攝影一樣。
去馬賽克
馬賽克的一個主要挑戰(zhàn)之一是像素插值,其作用是將鄰近單元的顏色通道組合成單個像素。在給定傳感器元件排列的幾何形狀以及單元排列的縱橫比的條件下,這是一個重要的問題。一個與之相關(guān)的問題是顏色單元的加權(quán)問題,如在每個RGB像素中每種顏色應(yīng)該占多少比例。因為在馬賽克傳感器中,空間元件分辨率大于最終組合的RGB像素分辨率,某些應(yīng)用需要原始傳感器數(shù)據(jù),以便盡可能利用所有的精度和分辨率,或者有些處理要么需要增強有效的像素分辨率,要么需要更好地實現(xiàn)空間精確的顏色處理和去馬賽克處理。
壞點校正
像LCD顯示器一樣,傳感器也可能會有壞像素。通過在攝像機模塊或驅(qū)動程序中提供需要校正的壞像素坐標,供應(yīng)商可以在工廠校正傳感器,并為已知的缺陷提供一個傳感器缺陷圖。在某些情況下,自適應(yīng)的缺陷校正方法會用在傳感器上,以便監(jiān)控鄰近像素點來發(fā)現(xiàn)缺陷,然后校正一定范圍內(nèi)的缺陷類型,比如單像素缺陷、列或行缺陷以及類似2×2或3×3的塊狀缺陷。為了實時尋找瑕疵,攝像機驅(qū)動也可提供自適應(yīng)的缺陷分析,在攝像機的啟動菜單中可能會提供一個特殊的補償控制。
顏色校正
有必要進行顏色校正以便平衡總的顏色精確度和白平衡。硅傳感器上對紅色和綠色這兩種顏色通常很敏感,但是對藍色卻不敏感,因此,理解和標定傳感器是得到最精確顏色的基本工作。
陰影校正
大多數(shù)圖像傳感器的處理器包含了用于光暈校正的幾何處理器,這在圖像的邊緣表現(xiàn)為光照更暗。校正基于幾何扭曲函數(shù),可考慮可編程的光照功能來增加朝向邊緣的光照,這需要在出廠前進行標定,以便與光學(xué)的光暈?zāi)J较嗥ヅ洹?/p>
畸變校正
鏡頭可能會有幾何相差或朝邊緣發(fā)生扭曲,產(chǎn)生徑向失真的圖像。為了解決鏡頭畸變,大多數(shù)成像系統(tǒng)具有專用的傳感器處理器,它有一個硬件加速的數(shù)字扭曲元件,類似于GPU上的紋理采樣器。在工廠就會針對光學(xué)器件的幾何校正進行校準并編程。
審核編輯 黃宇
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