如今，人工智能應(yīng)用都需要使用存內(nèi)計(jì)算、存算一體等非馮架構(gòu)，更緊密地將處理器與存儲(chǔ)器進(jìn)行結(jié)合。當(dāng)今先進(jìn)的AI芯片中的磁存儲(chǔ)器可高達(dá)芯片面積的70%。磁存儲(chǔ)器具有媲美SRAM的高速隨機(jī)讀寫特性，滿足數(shù)據(jù)高速處理的需求。

并且磁存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元只需要1個(gè)晶體管（SRAM需6個(gè)晶體管），使用磁存儲(chǔ)器替代SRAM時(shí)，可以將內(nèi)存所需面積減少大約25%。另外磁存儲(chǔ)器還具有良好的數(shù)據(jù)非易失性，可以大幅降低芯片靜態(tài)功耗。因此磁存儲(chǔ)器可以作為人工智能應(yīng)用的理想選擇。本文主要介紹磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1的應(yīng)用特征。

HS4MANSQ1A-DS1是一個(gè)大容量4Mbit的國產(chǎn)磁存儲(chǔ)器，SPI/QPI(串行單線/四線接口)。該芯片可配置為1位I/O獨(dú)立接口或4位I/O通用接口，而且HS4MANSQ1A-DS1存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)可以保持10年以上，適用于工業(yè)、工業(yè)等眾多應(yīng)用場景。

磁存儲(chǔ)器特點(diǎn)如下：

1、低電壓操作：單一電源，VCC 3.3V（標(biāo)準(zhǔn)電壓）

2、數(shù)據(jù)保護(hù)：軟保護(hù)模式，BP0, BP1 在模式寄存器#1

3、電力消耗：休眠電流 2μA (典型值)

待機(jī)電流 2mA (典型值)

寫電流 12mA (典型值 @SPI 200MHz)

讀電流 5.2mA (典型值 @SPI 100MHz)

4、可靠性：數(shù)據(jù)保留>10年@105℃

數(shù)據(jù)保留>20年@85℃

5、工作溫度范圍：-40℃~125℃

6、封裝：SOP8

注：如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)聯(lián)系刪除。