igbt屬于什么器件

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。IGBT既具有MOSFET的高輸入阻抗和控制能力，又具有雙極型晶體管的高電壓和高電流承受能力。因此，IGBT廣泛應用于高功率和高壓的電力電子應用領域。

IGBT是一種雙極型設備，具有三個電極：柵極（G），集電極（C）和發射極（E）。柵極用于控制電流流經器件的能力，集電極用于承受高壓電，發射極用于電流的注入。

IGBT的內部結構主要由P型襯底、N+區、N區、絕緣層和柵極組成。這些結構確定了IGBT的特性和性能，使其成為功率電子領域中非常重要的器件。

IGBT的特性和參數特點

（1）開關速度高，開關損耗小。在電壓1000V以上時，開關損耗只有GTR的1/10，與電力MOSFET相當;

（2）相同電壓和電流定額時，安全工作區比GTR大，且具有耐脈沖電流沖擊能力;

（3）通態壓降比VDMOSFET低，特別是在電流較大的區域;

（4）輸入阻抗高，輸入特性與MOSFET類似;

（5）與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力還可以進一步提高，同時保持開關頻率高的特點。

（6）IGBT往往與反向并聯的快速二極管封裝在一起，制成模塊，成為逆導器件。目前還有多管模塊和IPM （IGBT+控制和保護電路）。

igbt模塊的作用和功能

IGBT模塊（IGBT module）是由一個或多個IGBT晶體管、驅動電路和保護電路組成的封裝器件。IGBT模塊常用于高功率應用中，具有以下作用和功能：

1. 功率開關：IGBT模塊能夠控制高電壓和高電流，作為功率開關用于控制電路的導通和關斷，實現電流的控制和電壓的轉換。它可以在高壓和高頻率下快速地開啟和關斷電路，從而實現高效的能量轉換。

2. 電流放大：IGBT模塊具有高電流承受能力和低導通電壓降特性，可以承受較大的電流并放大電流信號，用于電力傳輸和驅動負載。

3. 電路保護：IGBT模塊通常包含保護電路，監測電流、電壓和溫度等參數，以避免過流、過壓和過溫等故障。它可以提供短路保護、過熱保護和過流保護等功能，確保設備的安全運行。

4. 精確控制：IGBT模塊可以通過外部驅動電路精確地控制IGBT晶體管的開關特性，根據需求調整導通和關斷時間，以實現精確的電流和功率控制。

5. 整合性設計：IGBT模塊將多個IGBT晶體管、驅動電路和保護電路集成在一個封裝中，簡化了電路設計和布局，節省了空間和成本。

IGBT模塊在各種應用中被廣泛使用，包括電力傳輸與分配、可再生能源發電系統、電動汽車驅動系統、工業電機控制、電焊設備和高壓電源等。通過控制和轉換電流和電壓，IGBT模塊提供了高效、精確、可靠的功率控制和轉換功能。

審核編輯：黃飛