IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的輸入特性和雙極型晶體管（BJT）的輸出特性。它廣泛應用于電力電子領域，特別是在高電壓和高電流的應用中，如電動汽車、可再生能源系統、變頻器、電機控制和開關電源等。

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）特性的高效能半導體器件。它有三個端子：柵極、集電極和發射極。其中，柵極的功能與MOSFET中的柵極相似，而集電極和發射極則與BJT中的相應端子功能相同。

在N溝道IGBT中，當柵極相對于發射極施加正電壓時，器件導通，使得電流能夠從集電極流向發射極。IGBT的工作原理和驅動方法將在其他部分進行詳細介紹。

IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗和快速開關特性以及BJT的低導通電阻優勢，適用于高電壓應用。雖然IGBT的開關速度比MOSFET稍慢，但比BJT快，同時在高電壓下保持低導通電阻，這使得IGBT在電力電子領域尤為重要。

綜上所述，IGBT是一種具有高輸入阻抗、快速開關能力，并且在高電壓環境下仍維持低導通電阻的半導體器件，它通過整合MOSFET和BJT的優點，克服了它們各自的不足。

總之，IGBT是一種高效、可靠的半導體器件，它在現代電力電子系統中扮演著至關重要的角色。隨著對更高性能和效率的需求不斷增長，IGBT的技術和應用將繼續發展和創新。