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新型內(nèi)存技術(shù)助力存儲網(wǎng)絡(luò)變革,將替代DRAM

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-02-22 15:03 ? 次閱讀

據(jù)存儲網(wǎng)絡(luò)行業(yè)協(xié)會(SNIA)專家預(yù)測,21世紀20年代后期預(yù)計將出現(xiàn)持久內(nèi)存(PMEM)顛覆,這一新興技術(shù)或?qū)⑻娲?a href="http://m.xsypw.cn/tags/dram/" target="_blank">DRAM等現(xiàn)有的儲存技術(shù)。

值得注意的是,持久內(nèi)存是一種內(nèi)存與外部存儲器的結(jié)合體,具備迅速持久化特性,對于硬盤讀寫次數(shù)頻繁引發(fā)性能瓶頸問題,存在突破解決之道。

SNIA專家Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示,以SK海力士以及美光開發(fā)的鉿鐵電隨機存取內(nèi)存為例,其表現(xiàn)出了超越現(xiàn)代DRAM的速度,然而最終誰將會成為主導(dǎo)這種新興技術(shù)的競爭者,仍有待觀察,而最重要的問題在于,暫時沒有明確跡象表明何時何地可以實現(xiàn)DRAM的替換。

此外,鐵電隨機存取內(nèi)存憑借其高速寫入周期,成為眾多強勁競爭者中的佼佼者。其中包括多種新型存儲器技術(shù)如磁阻式隨機存取內(nèi)存(MRAM)、鐵電隨機存取內(nèi)存 (FeRAM) 和可變電阻式存儲器(ReRAM)等,它們都在爭取取代SRAM、NOR閃存和DRAM等當(dāng)前標準。

盡管MRAM在短時間內(nèi)尚未展現(xiàn)出足以與DRAM分庭抗禮的閱讀速度,但專家聲稱其擁有巨大潛力,未來仍有望提升。配合新型技術(shù)——自旋軌道力矩(spin-orbit torque)和電壓調(diào)控磁各向異性磁隨機存儲器,有望進一步縮短MRAM的寫入延遲時間,為其成就要素增添籌碼。

MRAM磁阻式隨機存取內(nèi)存具有非易失性,從上世紀90年代開始就受到矚目。其支持者稱,該技術(shù)具備接近SRAM的性能、閃存般的非揮發(fā)特性以及DRAM級別的容量密度和使用壽數(shù)。

同時,鐵電隨機存取內(nèi)存的表現(xiàn)亦不遜色,既有SDRAM的隨機讀寫能力,又能像NVME那樣實現(xiàn)非揮發(fā)性特性。而ReRAM可變電阻式存儲器則屬于新型非易失性存儲器,和MRAM一樣,屬于新一代存儲器的代表之一。

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