IGBT（Insulated-gate bipolar transistor）是一種高性能功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于控制的MOSFET和低開啟壓降的GTO（Gate-Turn-Off）晶閘管的器件。在正常情況下，IGBT的啟動(dòng)最低電壓通常為數(shù)伏。

IGBT的工作原理是將控制信號(hào)作用于柵電極，從而在集電極和發(fā)射極之間形成導(dǎo)通通道。當(dāng)柵電極和發(fā)射極之間的電壓為正，柵電極下方的N型極區(qū)就會(huì)形成一個(gè)N溝道，該通道連接到集電極，使之導(dǎo)通。當(dāng)柵電極和發(fā)射極之間的電壓為負(fù)，柵電極下方的N型極區(qū)則會(huì)受到電子注入的影響變?yōu)镻溝道，阻止電流流動(dòng)，并使得IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。因此，IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)由柵電極和發(fā)射極之間的電壓控制。

在IGBT啟動(dòng)的過程中，需要一個(gè)特定的電壓來使之從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)。對(duì)于大多數(shù)IGBT器件而言，啟動(dòng)電壓通常在2到10伏之間。啟動(dòng)時(shí)，需要提供一個(gè)足夠大的電壓來克服內(nèi)部PN結(jié)的屏蔽效應(yīng)，將N型極區(qū)向集電極注入電子，使其形成導(dǎo)通通道。啟動(dòng)電壓的大小決定了IGBT是否可靠地啟動(dòng)，以及在工作期間是否能夠正常導(dǎo)通。

此外，IGBT的啟動(dòng)電壓還受到其他因素的影響，例如溫度、封裝類型、應(yīng)用場(chǎng)景等。通常情況下，較高的溫度會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通特性的改變，從而需要更高的啟動(dòng)電壓。而不同的封裝類型和應(yīng)用場(chǎng)景也可能對(duì)啟動(dòng)電壓產(chǎn)生影響，因此在實(shí)際應(yīng)用中需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)臏y(cè)試和調(diào)整。

總結(jié)起來，IGBT的啟動(dòng)最低電壓通常在2到10伏之間。這個(gè)范圍是基于大多數(shù)IGBT器件的一般情況。然而，具體的啟動(dòng)電壓仍然受到多種因素的影響，在實(shí)際應(yīng)用中需要根據(jù)具體情況進(jìn)行測(cè)試和調(diào)整。